[發明專利]計算變磷組分的GaAs/GaAsP量子阱發射波長的方法在審
| 申請號: | 201511006404.2 | 申請日: | 2015-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN105653852A | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發明(設計)人: | 陳亮;何敏游;蘇玲愛;尹琳;徐珍寶;魏來;汪旭輝;楊凱;鄒細勇;石巖;孟彥龍;張淑琴;金尚忠 | 申請(專利權)人: | 中國計量學院 |
| 主分類號: | G06F19/00 | 分類號: | G06F19/00 |
| 代理公司: | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吳秉中 |
| 地址: | 315470 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 計算 組分 gaas gaasp 量子 發射 波長 方法 | ||
1.一種計算變磷組分的GaAs/GaAsP量子阱發射波長的方法,用于計算由GaAs1-xPx- GaAs-GaAs1-xPx組成的單量子阱,其特征在于:利用量子力學中的薛定諤方程、變分法、以及 流體力學來計算量子阱的發射波長。
2.如權利要求1所述的計算變磷組分的GaAs/GaAsP量子阱發射波長的方法,其特征在 于:
在z方向電子和空穴運動的波函數在勢阱層內有正弦函數形式,在勢壘層內有指數衰 減函數形式,如下:
由薛定諤方程::
;
由于勢阱和勢壘界面處有一有限的勢能不連續,則導帶和價帶的這種勢能不連續性分 別為uΔEg和wΔEg,其中u、w分別表示導帶和價帶的勢能的不連續系數,ΔEg表示禁帶寬 度,且u+w=1,則w=1-u;故:
;
Ve,Vh分別表示電子和空穴的勢能。
3.如權利要求2所述的計算變磷組分的GaAs/GaAsP量子阱發射波長的方法,其特征在 于:利用變分法:
采用變分法求解,令試解波函數為:
式中fe(ze)和fh(zh)為有限方勢阱及勢壘中電子和空穴的包絡波函數;q(ρ,z,φ)是描 述電子-空穴相對運動的波函數,可以試取下解:
式中α、δ為變分參數,于是可以解得能量本征值E為:
激子束縛能或第一能級的能量為:
式中Ee和Eh分別代表勢阱中電子和空穴的基態能量,E1s表示的是第一能級的能量,E表 示的是能量本征值。
4.如權利要求3所述的計算變磷組分的GaAs/GaAsP量子阱發射波長的方法,其特征在 于:利用流體力學的流體靜壓形變:
因為應變對導帶邊的作用是產生一個流體靜壓形變能,式中ac為 導帶的流體靜壓勢,εxx、εyy、εzz為應變張量的分量,且對應的變張量為:
a0是襯底的晶格常數,a(x)是外延層GaAs1-xPx的晶格常數,C11和C22分別是晶體的彈性模 量;
應變引起的價帶漂移有兩個分量:一部分是流體靜壓形變能,它的作用是使整個價帶 上升或下降,影響到整個應變層的帶隙寬帶:
另一部分是四角形剪切形變能Qε,它的作用是使重空穴帶向反方向移動,即退簡并:
式中m為剪切形變勢;
GaAs1-xPx材料的禁帶寬度為:
;
得到:
。
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