[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201511005752.8
• 申請日: 2015-12-29
• 公開（公告）號: CN105789125A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 植木篤
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/268;B23K26/53
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

1.一種晶片的加工方法，通過激光加工裝置對晶片進行加工，所述晶片由硅構 成，且在正面上通過多條分割預定線劃分而形成有多個器件，所述激光加工裝置具有： 保持機構，其保持被加工物；激光束照射機構，其照射對于該保持機構所保持的被加 工物具有透過性的波長的脈沖激光束而在被加工物的內部形成改質層；以及加工進給 機構，其對該保持機構與該激光束照射機構相對地進行加工進給，該晶片的加工方法 的特征在于，具有如下的步驟：

波長設定步驟，將對于晶片具有透過性的脈沖激光束的波長設定為1300nm～ 1400nm的范圍；

改質層形成步驟，在實施該波長設定步驟之后，將脈沖激光束的聚光點定位在晶 片的內部而從晶片的背面對與該分割預定線對應的區域照射脈沖激光束，并且對該保 持機構與該激光束照射機構相對地進行加工進給，而在晶片的內部形成改質層；以及

分割步驟，在實施該改質層形成步驟之后，對晶片施加外力而以該改質層為分割 起點沿著該分割預定線分割晶片，

該改質層形成步驟包含如下的步驟：

第一改質層形成步驟，照射第一脈沖激光束而形成第一改質層，所述第一脈沖激 光束的每1脈沖的能量是抑制裂紋形成的第一值；以及

第二改質層形成步驟，照射第二脈沖激光束而與該第一改質層重疊地形成第二改 質層，所述第二脈沖激光束的每1脈沖的能量是比該第一值大的第二值。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

該第一值為1.5～4.0μJ，該第二值為6.5～10μJ。