[發明專利]LED的引線框用銅合金板條

有效

• 申請號: 201511005066.0
• 申請日: 2015-12-28
• 公開（公告）號: CN105908005B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 西村昌泰;真砂靖
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: C22C9/00
• 分類號: C22C9/00;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 張玉玲

技術領域

本發明涉及例如作為LED的引線框使用的銅合金板條(板和條)以及帶Ag鍍層的銅合金板條。

背景技術

近年來，以發光二極管(LED：Light Emitting Diode)作為光源的發光裝置，由于節能且長壽命，所以在大范圍的領域得以普及。LED元件被固定在導熱性和導電性優異的銅合金引線框上，組裝成封裝體。為了高效率地取出從LED元件發出的光，在銅合金引線框的表面形成有鍍Ag被膜而作為反射膜。由于LED封裝體被作為照明及個人電腦和移動電話等的背光使用，所以需要照明和畫面更明亮，LED封裝體的高亮度化的要求越發提高。

為了使LED封裝體高亮度化，有使LED元件自身高亮度化的方法和使Ag鍍層高品質化(高反射率化)的方法。但是，LED元件的高亮度化接近極限，只是稍微使之高亮度化便帶來元件成本大幅上升。因此近年來，對Ag鍍層的高反射率化的要求強烈。作為實施鍍Ag的引線框用銅合金，一直以來，使用的是算術平均粗糙度Ra為0.08μm左右的磨光品，和算術平均粗糙度Ra為0.06μm左右的滾光品。但是，鍍Ag后的反射率至多不過91％左右，仍要求更高的反射率。

另一方面，主要用作照明用的高亮度LED，其放熱量意想不到地大，該熱使LED元件自身和周圍的樹脂劣化，容易損害到作為LED的特長的長壽命，因此要重視LED元件的放熱對策。作為LED的引線框用銅合金，大多使用的是強度：450MPa，導電率：70％IACS左右的C194(參照專利文獻1、2)。

【現有技術文獻】

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011－252215號公報

專利文獻2：日本特開2012－89638號公報(段落0058)

發明內容

本發明其目的在于，在作為LED的引線框用銅合金而多被使用的C194的板條中，使形成于表面的鍍Ag反射膜的反射率提高，以實現LED封裝體的高亮度化。

為了使鍍Ag反射膜的反射率提高，考慮到減小作為引線框原材的銅合金板條的表面粗糙度，但僅此還無法提高鍍Ag反射膜的反射率。根據本發明者們的發現，在銅合金板條的表面，冷軋的過程中會形成油坑和條紋樣等的微細的缺陷，或由于研磨加工而形成加工變質相，這些都會對鍍Ag反射膜的表面粗糙度、晶粒直徑等34造成影響，妨礙鍍Ag反射膜的反射率的提高。本發明基于此間接而完成。

本發明的LED的引線框用銅合金板條(板和條)，是含有Fe：1.8～2.6mass％、P：0.005～0.20mass％、Zn：0.01～0.50mass％，余量由Cu和不可避免的雜質構成的Cu－Fe系銅合金板條，根據需要含有合計0.02～0.3mass％的Sn、Co、Al、Cr、Mg、Mn、Ca、Pb、Ni、Ti、Zr中的一種或兩種以上。該銅合金板條，軋制垂直方向的表面粗糙度為，算術平均粗糙度Ra低于0.06μm，十點平均粗糙度R_zJIS低于0.5μm，由原子力顯微鏡(AFM：Atomic Force Microscope)在軋制垂直方向上測量而取得的粗糙度曲線(AFM輪廓)中的長度50μm的范圍的波谷部面積為1.3μm²以下，表面的由微細晶粒構成的加工變質層的厚度為0.5μm以下。

本發明的銅合金板條，能夠使形成于表面的鍍Ag反射膜的表面粗糙度為，十點平均粗糙度R_zJIS：0.3μm以下，其結果是，鍍Ag反射膜的反射率提高到92％以上，能夠實現LED封裝體的高亮度化。

附圖說明

圖1是表示的試驗No.1的銅合金板條的表面狀態的AFM輪廓(AFM profile)。

圖2是表示實施例的試驗No.15的銅合金板條的表面狀態的AFM輪廓。

具體實施方式

接下來，對于本發明更具體地加以說明。

(銅合金的化學組成)

本發明的銅合金，含有Fe：1.8～2.6mass％、P：0.005～0.20mass％、Zn：0.01～0.50mass％，余量由Cu和不可避免的雜質構成，根據需要含有合計0.02～0.3mass％以下的Sn、Co、Al、Cr、Mg、Mn、Ca、Pb、Ni、Ti、Zr的一種或兩種以上。