[發(fā)明專利]具有上覆柵極結構的鰭式電阻器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201511000313.8 | 申請日： | 2015-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN105742275A | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | J·辛格 | 申請（專利權）人： | 格羅方德半導體公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國省代碼： | 開曼群島;KY |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 柵極 結構 電阻器 | ||
1.一種電阻器，其包含：
電阻器本體，其摻有第一類型摻質；
絕緣層，其設置于該電阻器本體上面；以及
至少一個柵極結構，其設置于該絕緣層上面且設置于該電阻器本體上面。
2.根據權利要求1所述的電阻器，進一步包含多個設置于該絕緣層及該電阻器本體上面的柵極結構，該多個柵極結構包括該至少一個柵極結構。
3.根據權利要求2所述的電阻器，其中，該多個柵極結構以不對稱方式相隔。
4.根據權利要求1所述的電阻器，其中，該電阻器本體包含界定于基材中的至少一個晶鰭，而且該電阻器進一步包含：
第一接觸部，其耦接至該至少一個晶鰭的第一端；以及
第二接觸部，其耦接至該至少一個晶鰭的第二端。
5.根據權利要求4所述的電阻器，其中，該電阻器本體包含界定于該基材中的多個晶鰭，該第一接觸部耦接至各該多個晶鰭的第一端，而且該第二接觸部耦接至各該多個晶鰭的第二端。
6.根據權利要求4所述的電阻器，其中，該至少一個柵極結構相對于該至少一個晶鰭垂直設置。
7.根據權利要求4所述的電阻器，其中，該至少一個晶鰭包含具有該第一類型摻質的頂端部分、以及具有第二類型摻質的第二部分，且該第二類型摻質與該第一類型摻質不同。
8.根據權利要求1所述的電阻器，進一步包含：
第一接觸部，其耦接至該至少一個柵極結構的第一端；以及
第二接觸部，其耦接至該至少一個柵極結構的第二端。
9.一種方法，其包含：
對設置于絕緣層上面的至少第一柵極結構施加偏壓，該絕緣層設置于電阻器本體上面，該電阻器本體摻有第一類型摻質，用以影響該電阻器本體的電阻。
10.根據權利要求9所述的方法，進一步包含：
對設置于該絕緣層上面的第二柵極結構施加編程電壓，該絕緣層設置于該電阻器本體上面，且該編程電壓足以破壞該第二柵極結構。
11.根據權利要求9所述的方法，其中，該電阻器本體包含界定于基材中的至少一個晶鰭。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，該電阻器本體包含界定于基材中的多個晶鰭，該多個晶鰭包括該至少一個晶鰭。
13.一種方法，其包含：
在基材中形成至少一個晶鰭，該至少一個晶鰭摻有第一類型摻質并界定電阻器本體；
在該至少一個晶鰭上面形成柵極結構；
形成第一接觸部，該第一接觸部連接至該至少一個晶鰭的第一端；以及
形成第二接觸部，該第二接觸部連接至該至少一個晶鰭的第二端。
14.根據權利要求13所述的方法，進一步包含以該第一類型摻質摻雜該至少一個晶鰭的頂端部分，其中，該基材摻有第二類型摻質，且該第二類型摻質與該第一類型不同。
15.根據權利要求13所述的方法，進一步包含形成設置于該電阻器本體上面的多個柵極結構，該多個柵極結構包括該柵極結構。
16.根據權利要求15所述的方法，其中，該多個柵極結構以不對稱方式相隔。
17.根據權利要求15所述的方法，進一步包含對該多個柵極結構的第二柵極結構施加編程電壓，且該編程電壓足以破壞該第二柵極結構。
18.根據權利要求15所述的方法，進一步包含形成與該多個柵極結構的其中一者相鄰、但不在該電阻器本體上面的至少一個虛設柵極。
19.根據權利要求13所述的方法，進一步包含：
在該基材中形成多個晶鰭，該多個晶鰭包括該至少一個晶鰭；
形成第一接觸部，該第一接觸部耦接至各該多個晶鰭的第一端；以及
形成第二接觸部，該第二接觸部耦接至各該多個晶鰭的第二端。
20.根據權利要求13所述的方法，進一步包含對該至少一個柵極結構施加偏壓，用以影響該電阻器本體的電阻。
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