[發明專利]具有上覆柵極結構的鰭式電阻器

在審

• 申請號: 201511000313.8
• 申請日: 2015-12-28
• 公開（公告）號: CN105742275A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: J·辛格
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種電阻器，其包含：

電阻器本體，其摻有第一類型摻質；

絕緣層，其設置于該電阻器本體上面；以及

至少一個柵極結構，其設置于該絕緣層上面且設置于該電阻器本體上面。

2.根據權利要求1所述的電阻器，進一步包含多個設置于該絕緣層及該電阻器本體上面的柵極結構，該多個柵極結構包括該至少一個柵極結構。

3.根據權利要求2所述的電阻器，其中，該多個柵極結構以不對稱方式相隔。

4.根據權利要求1所述的電阻器，其中，該電阻器本體包含界定于基材中的至少一個晶鰭，而且該電阻器進一步包含：

第一接觸部，其耦接至該至少一個晶鰭的第一端；以及

第二接觸部，其耦接至該至少一個晶鰭的第二端。

5.根據權利要求4所述的電阻器，其中，該電阻器本體包含界定于該基材中的多個晶鰭，該第一接觸部耦接至各該多個晶鰭的第一端，而且該第二接觸部耦接至各該多個晶鰭的第二端。

6.根據權利要求4所述的電阻器，其中，該至少一個柵極結構相對于該至少一個晶鰭垂直設置。

7.根據權利要求4所述的電阻器，其中，該至少一個晶鰭包含具有該第一類型摻質的頂端部分、以及具有第二類型摻質的第二部分，且該第二類型摻質與該第一類型摻質不同。

8.根據權利要求1所述的電阻器，進一步包含：

第一接觸部，其耦接至該至少一個柵極結構的第一端；以及

第二接觸部，其耦接至該至少一個柵極結構的第二端。

9.一種方法，其包含：

對設置于絕緣層上面的至少第一柵極結構施加偏壓，該絕緣層設置于電阻器本體上面，該電阻器本體摻有第一類型摻質，用以影響該電阻器本體的電阻。

10.根據權利要求9所述的方法，進一步包含：

對設置于該絕緣層上面的第二柵極結構施加編程電壓，該絕緣層設置于該電阻器本體上面，且該編程電壓足以破壞該第二柵極結構。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，該電阻器本體包含界定于基材中的至少一個晶鰭。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，該電阻器本體包含界定于基材中的多個晶鰭，該多個晶鰭包括該至少一個晶鰭。

13.一種方法，其包含：

在基材中形成至少一個晶鰭，該至少一個晶鰭摻有第一類型摻質并界定電阻器本體；

在該至少一個晶鰭上面形成柵極結構；

形成第一接觸部，該第一接觸部連接至該至少一個晶鰭的第一端；以及

形成第二接觸部，該第二接觸部連接至該至少一個晶鰭的第二端。

14.根據權利要求13所述的方法，進一步包含以該第一類型摻質摻雜該至少一個晶鰭的頂端部分，其中，該基材摻有第二類型摻質，且該第二類型摻質與該第一類型不同。

15.根據權利要求13所述的方法，進一步包含形成設置于該電阻器本體上面的多個柵極結構，該多個柵極結構包括該柵極結構。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，該多個柵極結構以不對稱方式相隔。

17.根據權利要求15所述的方法，進一步包含對該多個柵極結構的第二柵極結構施加編程電壓，且該編程電壓足以破壞該第二柵極結構。

18.根據權利要求15所述的方法，進一步包含形成與該多個柵極結構的其中一者相鄰、但不在該電阻器本體上面的至少一個虛設柵極。

19.根據權利要求13所述的方法，進一步包含：

在該基材中形成多個晶鰭，該多個晶鰭包括該至少一個晶鰭；

形成第一接觸部，該第一接觸部耦接至各該多個晶鰭的第一端；以及

形成第二接觸部，該第二接觸部耦接至各該多個晶鰭的第二端。

20.根據權利要求13所述的方法，進一步包含對該至少一個柵極結構施加偏壓，用以影響該電阻器本體的電阻。