[發明專利]氧化物薄膜晶體管陣列基板及制作方法與液晶顯示面板

在審

• 申請號: 201511000256.3
• 申請日: 2015-12-28
• 公開（公告）號: CN105448823A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 鄒忠飛;李海波;鄭會龍;何鈺瑩
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;H01L29/423;G02F1/1362
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

1.一種氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底(11)上制作形成氧化物半導體層(12)，其中所述氧化物半導體層(12)包括第一區域(A)、第二區域(B)和第三區域(C)；

在所述襯底(11)上連續形成柵極絕緣層薄膜(13)和柵極金屬層薄膜(14)，其中所述柵極絕緣層薄膜(13)覆蓋所述氧化物半導體層(12)，所述柵極金屬層薄膜(14)覆蓋所述柵極絕緣層薄膜(13)；

對所述柵極金屬層薄膜(14)和所述柵極絕緣層薄膜(13)進行圖形化，使所述柵極金屬層薄膜(14)在被圖形化之后形成氧化物薄膜晶體管的柵極(14a)，使所述柵極絕緣層薄膜(13)在被圖形化之后形成柵極絕緣層(13a)，其中所述柵極絕緣層(13a)覆蓋所述氧化物半導體層(12)的第一區域(A)；

在所述氧化物半導體層(12)的第一區域(A)被所述柵極絕緣層(13a)覆蓋的前提下，對所述氧化物半導體層(12)的第二區域(B)和第三區域(C)進行離子注入，使所述第二區域(B)和所述第三區域(C)由半導體分別轉變為第一電極(122)和第二電極(123)，其中所述第二電極(123)作為像素電極，所述第一區域(A)保持為半導體性質并作為氧化物薄膜晶體管的溝道區(121)；

在所述襯底(11)上形成第一鈍化層(15)，其中所述第一鈍化層(15)覆蓋所述第一電極(122)、所述柵極(14a)和所述第二電極(123)，并在所述第一鈍化層(15)中與所述第一電極(122)相對應的位置形成通孔(150)；

在所述第一鈍化層(15)上形成數據線(16)，其中所述數據線(16)填入所述第一鈍化層(15)的通孔(150)中與所述第一電極(122)電連接；

在所述第一鈍化層(15)上形成第二鈍化層(17)，其中所述第二鈍化層(17)覆蓋所述數據線(16)。

2.如權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，對所述柵極金屬層薄膜(14)和所述柵極絕緣層薄膜(13)進行圖形化的步驟具體包括：

在所述柵極金屬層薄膜(14)上涂覆一層光阻層，對所述光阻層進行曝光和顯影，利用顯影留下的光阻層圖案(20)作為遮罩對所述柵極金屬層薄膜(14)進行一次濕蝕刻，所述柵極金屬層薄膜(14)在被濕蝕刻之后形成所述柵極(14a)；

再以所述光阻層圖案(20)作為遮罩對所述柵極絕緣層薄膜(13)進行一次干蝕刻，所述柵極絕緣層薄膜(13)在被干蝕刻之后形成所述柵極絕緣層(13a)。

3.如權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在所述第二鈍化層(17)上制作形成公共電極(18)。

4.如權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述襯底(11)上制作形成所述氧化物半導體層(12)之前，所述制作方法還包括在所述襯底(11)上先制作一層擋光層(19)，所述擋光層(19)所處的位置對應于所述氧化物半導體層(12)的第一區域(A)。

5.如權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，對所述氧化物半導體層(12)進行離子注入的方式為在PECVD設備中，用H離子或者Ar離子對所述氧化物半導體層(12)進行等離子體處理。