[發(fā)明專利]一種用于多晶硅基底的銀漿及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510994443.1
• 申請(qǐng)日: 2015-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN105575463B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏昂;李劭陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州華一新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01B1/22
• 分類號(hào): H01B1/22;H01B13/00
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司32103
• 代理人: 仇波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種銀漿，具體涉及一種用于多晶硅基底的銀漿及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著工業(yè)發(fā)展以及人類活動(dòng)的增加，人類對(duì)能源的消耗日趨增大，而地下非可再生的礦物能源逐漸短缺，能源供需矛盾日益激化，能源問題已經(jīng)成為影響人類生存和發(fā)展關(guān)鍵的問題之一。因此，開發(fā)利用新型的，環(huán)保的，可再生的能源已是耽誤之急。

太陽能作為一種可再生的清潔能源，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于人們的實(shí)際生活中，其中太陽能電池應(yīng)用最早，技術(shù)也最成熟?，F(xiàn)階段，多晶硅太陽能電池應(yīng)用最早，技術(shù)也最成熟。而銀漿作為制備多晶硅基太陽能電池正面電極的主要原材料，對(duì)太陽能電池的性能有重要影響。而中國(guó)市場(chǎng)中制備多晶硅基太陽能電池所用的正面銀漿幾乎依靠進(jìn)口，因此對(duì)多晶硅基太陽能電池正面銀漿的研究工作至關(guān)重要。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種用于多晶硅基底的銀漿。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種用于多晶硅基底的銀漿，它包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分：

優(yōu)化地，它包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分：

進(jìn)一步地，它包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分：

本發(fā)明的又一目的在于提供一種上述用于多晶硅基底的銀漿的制備方法，它包括以下步驟：

(a)制備納米銀顆粒；

(b)將所述納米銀顆粒與其它配方組分混合制得納米銀漿。

優(yōu)化地，還包括步驟(c)將所述納米銀漿印制于多晶硅基底上后進(jìn)行低溫干燥。

優(yōu)化地，步驟(a)中，所述納米銀顆粒是將銀氨溶液和反應(yīng)液混合后再加入還原劑反應(yīng)制得。

進(jìn)一步地，步驟(b)中，所述納米銀顆粒與其它配方組分混合為向所述納米銀顆粒依次加入環(huán)氧樹脂、松油醇、松節(jié)油、苯甲醇、鄰苯二甲酸二丁酯和磷酸三丁脂。

進(jìn)一步地，所述銀氨溶液由硝酸銀、去離子水和濃氨水混合攪拌制得。

進(jìn)一步地，所述反應(yīng)液由聚乙烯吡咯烷酮、氨水和去離子水混合攪拌制得。

進(jìn)一步地，所述低溫干燥溫度為90～100℃，所述納米銀顆粒的粒徑為30nm～50nm。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明用于多晶硅基底的銀漿，通過采用特定組分和含量的銀漿，能夠使其與多晶硅基底具有高度的匹配性，確保制得的陰極銀漿柵線粘結(jié)性牢固且具有較高的導(dǎo)電性。本發(fā)明用于多晶硅基底的銀漿的制備方法，工藝簡(jiǎn)單、可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，易操作。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明用于多晶硅基底的銀漿，它包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分：納米銀顆粒60～70％；環(huán)氧樹脂8～20％；松油醇2～6％；松節(jié)油2～6％；苯甲醇3～4％；鄰苯二甲酸二丁酯1.5～3％；磷酸三丁酯0.5～3％。通過采用特定組分和含量的銀漿，能夠使其與多晶硅基底具有高度的匹配性，確保制得的陰極銀漿柵線粘結(jié)性牢固且具有較高的導(dǎo)電性。

上述用于多晶硅基底的銀漿優(yōu)選包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分：納米銀顆粒62％～68.5％、環(huán)氧樹脂15％～19％、松油醇4％～5％、松節(jié)油4％～5％、苯甲醇3％～4％、鄰苯二甲酸二丁酯1.5％～2％、磷酸三丁酯0.5％～2％；進(jìn)一步優(yōu)選，納米銀顆粒67.5％、環(huán)氧樹脂16.5％、松油醇5％、松節(jié)油5％、苯甲醇3％、鄰苯二甲酸二丁酯1.5％、磷酸三丁酯1.5％，該比例的銀漿以及由該銀漿制得的陰極銀漿柵線具有高電導(dǎo)率。

上述用于多晶硅基底的銀漿的制備方法，它包括以下步驟：(a)制備納米銀顆粒；(b)將所述納米銀顆粒與其它配方組分混合制得納米銀漿。該方法工藝簡(jiǎn)單、可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，易操作。它還包括步驟(c)將所述納米銀漿印制于多晶硅基底上后進(jìn)行低溫干燥，以制得陰極銀漿柵線。