[發(fā)明專利]一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510988904.4
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN105428343A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉愷;梁志忠;王趙云;陳益新
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭;周彩鈞

1.一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括第一引線框（21）、第二引線框（22）、第三引線框（23）、第一芯片（24）和第二芯片（25），所述第二引線框（22）和第三引線框（23）呈Z形，所述Z形的第二引線框（22）包括第一上水平段（221）、第一中間連接段（222）和第一下水平段（223），所述Z形的第三引線框（23）包括第二上水平段（231）、第二中間連接段（232）和第二下水平段（233），所述第一芯片（24）夾設(shè)在第一引線框（21）與第一上水平段（221）之間，所述第一芯片（24）的正面和背面分別通過錫膏（26）與第一上水平段（221）和第一引線框（21）電性連接，所述第二芯片（25）夾設(shè)在第一上水平段（221）與第二上水平段（231）之間，所述第二芯片（25）的正面和背面分別通過錫膏（26）與第二上水平段（231）和第一上水平段（221）電性連接，所述第一引線框（21）、第二引線框（22）和第三引線框（23）外包封有塑封料（27），所述第一引線框（21）下表面和第一下水平段（223）下表面齊平且均暴露于塑封料（27）之外，所述第二下水平段（233）下表面搭設(shè)在第一引線框（21）上表面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一引線框（21）、第二引線框（22）和第三引線框（23）均為整體框架。

3.一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于所述方法包括如下步驟：

步驟一、提供第一引線框；

步驟二、在第一引線框基島區(qū)域通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏；

步驟三、在步驟二中第一引線框基島區(qū)域涂覆的錫膏上植入第一芯片；

步驟四、提供第二引線框，所述第二引線框為Z形，所述Z形的第二引線框包括第一上水平段、第一中間連接段和第一下水平段，在第二引線框的第一上水平段的下表面通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏；

步驟五、將第二引線框的第一上水平段壓合在第一引線框上表面的第一芯片上，壓合后第一引線框和第二引線框形成整體框架，第一引線框下表面與第二引線框第一下水平段下表面齊平；

步驟六、將步驟五形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進行回流焊；

步驟七、完成回流焊后，在第二引線框的第一上水平段的上表面通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏；

步驟八、在步驟七中第二引線框的第一上水平段上表面涂覆的錫膏上植入第二芯片；

步驟九、提供第三引線框，所述第三引線框為Z形，所述Z形的第三引線框包括第二上水平段、第二中間連接段和第二下水平段，在第三引線框的第二上水平段下表面和第二下水平段下表面通過網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏；

步驟十、將第三引線框的第二上水平段壓合在第二引線框的第一上水平段上表面的第二芯片上，且第三引線框的第二下水平段下表面搭設(shè)在第一引線框上表面上，壓合后第一引線框、第二引線框和第三引線框形成整體框架；

步驟十一、將步驟十形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進行回流焊；

步驟十二、將步驟十一經(jīng)過回流焊后的整體框架采用塑封料進行塑封；

步驟十三、將步驟十二完成塑封的半成品進行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式塑封體，切割或是沖切獨立開來，制得多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述第一引線框、第二引線框和第三引線框的材質(zhì)可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃的導電材質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述第一芯片和第二芯片為可以與金屬錫結(jié)合的二極芯片、三極芯片或多極芯片。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述壓板材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)CTE與第一引線框、第二引線框和第三引線框材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)CTE接近，其CTE范圍是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：所述步驟二、步驟四和步驟九可通過不同機臺同時進行。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于：步驟五與步驟六第一引線框壓合第二引線框形成整體框架并使用壓板進行回流焊，可以在步驟八第二引線框植入第二芯片后進行實施。