[發明專利]基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或門

在審

• 申請號: 201510980343.3
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN105425504A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 楊修倫;孫曉雯;范冉冉
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: G02F3/00
• 分類號: G02F3/00
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 王緒銀

1.一種基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或門，其特征是，包括一個正方晶格的光子晶體，該光子晶體具有自準直干涉效應；在光子晶體的內部制作有兩個沿自準直光束傳播方向排列的線缺陷，作為兩個分束器S₁和S₂，線缺陷的柱半徑分別為r_S1＝0.421a和r_S2＝0.39a，S₁是部分反射分束器，而S₂是全反射分束器；兩個分束器的距離Δl＝14a、25a、36a或51a，其中a＝0.4185μm；光子晶體中設置有兩個入射端口和一個輸出端口。

2.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或門，其特征是，所述正方晶格的光子晶體是以硅為背景材料的二維空氣孔正方晶格的光子晶體，背景材料硅的介電常數ε＝11.56。

3.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或門，其特征是，所述光子晶體的大小為35a*35a，a＝0.4185μm。

4.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或門，其特征是，所述光子晶體的柱半徑r＝0.3a，a＝0.4185μm。

5.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或門，其特征是，所述入射端口的入射光束波長為1.55μm。

6.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或門，其特征是，當r_S1＝0.421a時，S₁的功率透射率和反射率分別是T＝0.41699和R＝0.40831。