[發(fā)明專利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510980329.3 | 申請日： | 2015-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN106904568B | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李廣寧;沈哲敏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B1/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 高偉;馮永貞 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功能材料層 基底 電子裝置 覆蓋層 緩沖層 頂角 制備 第二金屬層 第一金屬層 臺階形結(jié)構 添加氧化物 縫隙孔洞 金屬疊層 金屬膜 側(cè)壁 分層 減小 圓化 制程 上層 覆蓋 | ||
1.一種MEMS器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供基底，在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的功能材料層，以形成臺階形結(jié)構，在所述基底上和所述功能材料層的側(cè)壁上形成有頂角變圓的緩沖層；
步驟S2：在所述緩沖層和所述功能材料層上形成覆蓋層，以覆蓋所述功能材料層；
步驟S3：在所述覆蓋層上交替地形成第一金屬層和第二金屬層，以形成至少包含4層的金屬疊層結(jié)構，以減小所述金屬疊層結(jié)構的應力。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層選用氮化硅層。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
步驟S11：在所述基底上形成第一緩沖層并在所述第一緩沖層上形成圖案化的所述功能材料層；
步驟S12：在所述第一緩沖層和所述功能材料層上沉積第二緩沖層，以覆蓋所述功能材料層；
步驟S13：蝕刻所述第二緩沖層，以去除所述第一緩沖層上的所述第二緩沖層，同時圓化所述功能材料層側(cè)壁上的所述第二緩沖層的頂角，以使所述頂角變圓。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S13中先濕法蝕刻再干法蝕刻所述第二緩沖層，以使所述第二緩沖層的所述頂角變圓。
5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一緩沖層和所述第二緩沖層的厚度之和為
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述功能材料層為所述MEMS器件的震蕩桿。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層選用Cr；
所述第二金屬層選用Au。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為
所述第二金屬層的厚度為
9.一種如權利要求1至8之一所述方法制備得到的MEMS器件。
10.一種電子裝置，包括權利要求9所述的MEMS器件。
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