[發明專利]一種具有三維P-N結的半導體發光二極管芯片及其制備方法在審
| 申請號: | 201510978891.2 | 申請日: | 2015-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN105428486A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發明(設計)人: | 張建立;全知覺;劉軍林 | 申請(專利權)人: | 南昌大學;南昌黃綠照明有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/24 | 分類號: | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司: | 江西省專利事務所 36100 | 代理人: | 張文 |
| 地址: | 330047 *** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 三維 半導體 發光二極管 芯片 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體材料,尤其是涉及一種具有三維P-N結的半導體發光二極管芯片及其制備方法。
背景技術
半導體發光二極管(LED)具有廣泛的用途,可應用于儀器工作指示、交通信號燈、大屏幕顯示和通用照明等市場。目前,半導體LED的發光效率已經超過了白熾燈和熒光燈,但其在照明市場的滲透率仍然非常低;造成此局面的一個重要原因是其價格還不夠“親民”。因此,在LED性能已達到一定高度的前提下,如何降低其成本已成為當務之急。
降低LED成本最直觀的方法是加大芯片的工作電流,使芯片能發出更大的光功率,但前提是芯片面積大小和發光效率不能改變,即發光效率不變的單位面積芯片輸出光功率最大化。例如:一只2W的LED燈泡,需要用兩個面積為1mm2的LED芯片,在各通350mA的電流下工作;如果僅用其中一顆LED芯片通700mA的電流就實現了之前的發光功率,則可節省1顆芯片的成本;此外,燈具的基板、散熱、電源、光學設計可變得更簡單,LED燈泡的總體生產成本也會大幅降低。然而,隨著工作電流的增大,LED有源層中的載流子濃度急劇升高,這會加劇下列兩種情況的發生:(1)載流子從有源層泄露的比例增大;(2)非輻射的俄歇復合率成指數升高。這兩方面的因素會造成了LED的效率隨著電流密度的加大而急劇降低,這種效應被稱作效率驟降。因此,要實現發光效率不變的單位面積芯片輸出光功率最大化,首先要解決的是LED有源層中載流子濃度隨電流密度增大而急劇升高的問題。通過增大LED有源層體積可有效地解決這個問題;而增大有源層體積的方法可分為增加有源層的面積和厚度。眾所周知,根據所用襯底的電導率以及外延層設計的不同,LED具有同側電極和上下電極兩種結構。目前,無論是同側電極還是上下電極結構的LED,其有源層均夾于N層和P層之間,其P-N結為二維結構。圖1為一種典型的同側電極結構LED的剖面結構示意圖。由圖1可知,這種二維P-N結構限制了有源層的面積不大于芯片的面積;因此,提高LED有源層體積的常用方法是增加有源層厚度。例如:有源層為多量子阱(QW)的氮化鎵LED中,通過增加QW的個數和單個阱厚,增加了有源層體積。這種增加有源層厚度的方法在很大程度上改善了效率驟降效應,提升了LED的發光效率,已經得到普遍應用。但該方法經過十幾年的發展優化,已經達到了其最優水平;因而,需要發展一種新的方法去進一步改善效率驟降效應,實現發光效率不變的單位面積芯片輸出光功率最大化,大幅降低LED的成本,推進半導體照明的普及化。
發明內容
本發明的第一個目的在于提供一種抑制俄歇復合、降低載流子泄漏的半導體發光二極管芯片。該半導體發光二極管芯片中的發光有源層及P-N結被制備成非平面的三維結構,故簡稱為3D-LED,其結構如圖2所示。該設計具有以下優點:發光有源層的有效發光總面積可超過芯片面積,可實現發光效率不變的單位面積芯片輸出光功率最大化的目標。
本發明的第二個目的在于提供一種具有三維P-N結的半導體發光二極管芯片的制造方法。
本發明的第一個目的是這樣實現的:
一種具有三維P-N結的半導體發光二極管芯片,包含:一個支撐基板;層疊于所述支撐基板上的半導體疊層,該半導體疊層至少包含一層N型半導體層、一層P型半導體層和一層夾于N、P層之間的發光有源層;兩個歐姆電極,特征是:半導體疊層中的發光有源層及P-N結具有非平面的三維結構。
所述發光有源層及P-N結的非平面三維結構包含若干個分布密度為1e6~1e10cm-2的中空多面體。以圖3為例,每個中空多面體在x-y平面的投影成“V”型,其夾角設為α;在y-z平面的投影為六邊形,六邊形的尺寸大小(對邊距離)設為h,六邊形之間的中心距設為d。對于所有的中空多面體來說,它們的α,h和d值可以不完全一致;因此,中空多面體的側面晶向可以是不完全相同的,在y-z平面的六邊形投影相互間的關系存在兩種形態:(1)相互連接和(2)相互交叉;如圖4所示。以每個“V”型夾角α值相等、每個六邊形為正多邊形,且尺寸大小h一致、位置均勻分布(中心距d相等)為優選。
所述半導體疊層的材料是指用于發光的半導體材料,包括但不限于:氮化鎵、磷化鎵、碳化硅、氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅;優選銦鎵鋁氮(InxGayAl1-x-yN,0≤x≤1,0≤y≤1)材料和銦鎵鋁磷(InxGayAl1-x-yP,0≤x≤1,0≤y≤1)材料。
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