[發(fā)明專利]一種對InSb進(jìn)行割圓倒角的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510977772.5
• 申請日: 2015-12-23
• 公開（公告）號: CN105575856B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙超;陳元瑞;程鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 田衛(wèi)平

本發(fā)明公開了一種對InSb進(jìn)行割圓倒角的裝置，本發(fā)明主要用于非規(guī)則形狀的InSb晶圓的制備工藝中，解決InSb單晶晶錠利用率低的問題。通過采用新型的割圓倒角工藝，可以使InSb單晶晶錠在切割成晶片以后再進(jìn)行割圓，并在同一臺設(shè)備上通過一次操作同時完成割圓和倒角工藝。因而極大的提高了材料的利用率，并提高了晶圓的加工效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種對InSb進(jìn)行割圓倒角的裝置。

背景技術(shù)

InSb材料是一種三五族化合物半導(dǎo)體材料，在3-5μm中波紅外波段擁有極高的量子效率和響應(yīng)率，廣泛應(yīng)用于中波紅外探測器領(lǐng)域。目前，InSb材料主要是通過切克勞斯基法制備出單晶晶錠，再通過切片、倒角、研磨、拋光等工序制備成各種尺寸和規(guī)格的晶圓。而這些都會造成非常嚴(yán)重的材料浪費，因此并不適用于InSb晶圓的加工。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述的分析，本發(fā)明旨在提供一種對InSb進(jìn)行割圓倒角的裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中對InSb進(jìn)行割圓倒角浪費材料的問題。

本發(fā)明主要是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本發(fā)明提供了一種對InSb進(jìn)行割圓倒角的裝置，該裝置包括：

圖像識別單元，用于采集平臺上的InSb的晶片圖形；

處理單元，用于根據(jù)所述晶片圖形以及預(yù)設(shè)的晶片形狀，計算晶片的中心位置、晶片直徑以及晶片割圓倒角的尺寸；

切割單元，用于對所述晶片進(jìn)行處理，得到所述預(yù)設(shè)的晶片形狀。

優(yōu)選地，所述圖像識別單元為攝像頭。

優(yōu)選地，所述切割單元進(jìn)一步包括：倒角砂輪和伺服電機；

所述伺服電機，用于給所述倒角砂輪提供動力；

所述倒角砂輪，用于在所述伺服電機的推動下，根據(jù)所述處理單元得到的晶片割圓倒角的尺寸對晶片進(jìn)行割圓和倒角。

優(yōu)選地，所述倒角砂輪的外圓周面上依次包括割圓研磨面和倒角研磨面，且所述割圓研磨面和所述倒角研磨面均包括多個。

優(yōu)選地，所述割圓研磨面為四個，所述割圓研磨面的金剛砂的粒徑依次為100#、200#、300#和400#。

優(yōu)選地，所述倒角研磨面為四個，所述倒角研磨面的金剛砂的粒徑依次為400#、800#、2000#和4000#。

優(yōu)選地，所述倒角研磨面為倒梯形槽結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明主要用于非規(guī)則形狀的InSb晶圓的制備工藝中，解決InSb單晶晶錠利用率低的問題。通過采用新型的割圓倒角工藝，可以使InSb單晶晶錠在切割成晶片以后再進(jìn)行割圓，并在同一臺設(shè)備上通過一次操作同時完成割圓和倒角工藝。因而極大的提高了材料的利用率，并提高了晶圓的加工效率。

本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

圖1是本發(fā)明所使用的割圓倒角機設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例的一種砂輪研磨面的局部剖視圖；

圖3是本發(fā)明所使用的非規(guī)則形狀的InSb晶片形狀示意圖；

圖4是使用本發(fā)明處理完成后的InSb晶圓形狀圖。

具體實施方式