[發(fā)明專利]一種掩膜板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510976337.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-12-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105543905B | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 祝曉釗;朱修劍;甘帥燕 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 昆山國(guó)顯光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C25D1/10 | 分類號(hào)： | C25D1/10;C25D1/08;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀麗 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 掩膜板 及其 制備 方法 | ||
1.一種掩膜板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在母版上形成第一光刻膠層，并圖案化形成包括第一骨架與第一鏤空區(qū)域的第一掩膜圖案層；
以所述第一掩膜圖案層為掩膜，在所述母版上形成嵌設(shè)在所述第一鏤空區(qū)域中的第一電鑄層；
在所述第一電鑄層上形成第二光刻膠層，并圖案化形成包括第二骨架與第二鏤空區(qū)域的第二掩膜圖案層；
沿所述第二骨架的所在平面的垂直方向，所述第二骨架的截面為不連續(xù)的若干倒置梯形；
以所述第二掩膜圖案層為掩膜，在所述第一電鑄層上直接形成嵌設(shè)在所述第二鏤空區(qū)域中的第二電鑄層；
去除所述第一掩膜圖案層與所述第二掩膜圖案層；
將所述第一電鑄層與所述第二電鑄層從所述母版 上剝離，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述第二掩膜圖案層在所述母版上的投影覆蓋所述第一掩膜圖案層在所述母版上的投影。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述第二光刻膠層的圖案化過程包括：曝光步驟、顯影步驟以及加熱塑形步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述母版為金屬母版。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述第一電鑄層和/或所述第二電鑄層為殷瓦(invar)合金層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述第一電鑄層厚度為5μm～20μm；所述第二電鑄層厚度為10μm～35μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述第一光刻膠層為正性光刻膠層，厚度為5μm～20μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜板的制備方法，其特征在于，所述第二光刻膠層為負(fù)性光刻膠層，厚度為10μm～35μm。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的掩膜板的制備方法所制備的掩膜板。
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