[發明專利]一種有機發光顯示裝置及其制備方法在審
| 申請號: | 201510975405.1 | 申請日: | 2015-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN105489631A | 公開(公告)日: | 2016-04-13 |
| 發明(設計)人: | 周茂清;趙海廷;段志勇;魏朝剛 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀麗 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括基板(1)和像素限定層(2),所 述的像素限定層(2)形成連續網格結構,所述連續網格結構中形成有像 素單元,其特征在于,
所述像素限定層(2)中設置有防止相鄰像素單元短路的隔離結構。
2.根據權利要求1所述有機發光顯示裝置,其特征在于,所述隔離 結構為貫穿所述像素限定層(2)的隔離槽(7),所述隔離槽(7)將所 述像素限定層(2)分割為獨立的兩部分。
3.根據權利要求2所述有機發光顯示裝置,其特征在于,所述隔離 槽(7)的槽壁與所述基板(1)的夾角為60°-90°,所述隔離槽(7)頂 部的橫截面積大于等于底部的橫截面積。
4.根據權利要求1-3任一項所述有機發光顯示裝置,其特征在于, 所述有機發光顯示裝置為頂發光OLED器件,連續網格結構中疊加設置有 第一電極層(3)、有機發光層(4)和第二電極層(5),所述像素限定層 (2)的高度至少為有機發光層(4)厚度的兩倍。
5.根據權利要求4所述有機發光顯示裝置,其特征在于,所述像素 限定層(2)的厚度大于有機發光層(4)和第二電極層(5)的厚度之和, 所述第二電極層(5)的上方形成有透光導電聚合物層(8)。
6.根據權利要求5所述有機發光顯示裝置,其特征在于,還包括封 裝膜(9),所述封裝膜(9)與所述基板(1)形成封閉區域,所述像素 限定層(2)、像素單元和透光導電聚合物層(8)位于所述封閉區域。
7.根據權利要求1-3任一項所述有機發光顯示裝置,其特征在于, 所述有機發光顯示裝置為底發光OLED器件,連續網格結構中疊加設置有 第一電極層(3)和有機發光層(4),所述像素限定層(2)和有機發光 層(4)的上方形成有第二電極層(5),所述第一電極層(3)、有機發光 層(4)和第二電極層(5)構成所述像素單元,所述有機發光層(4)和 第二電極層(5)的厚度之和大于所述像素限定層(2)的高度。
8.根據權利要求1-3任一項所述有機發光顯示裝置,其特征在于, 所述像素限定層(2)為有機光刻膠層。
9.一種有機發光顯示裝置的制備方法,其特征在于,包括下述步驟:
S11、在基板(1)上制作導電層并圖形化形成若干第一電極層(3), 在第一電極層(3)涂覆有機光刻膠層,并經過曝光顯影形成像素限定層 (2)和貫穿所述像素限定層的隔離槽(7);
S12、采用蒸鍍的方式依次沉積有機發光層(4)和第二電極層(5), 所述有機發光層(4)的總厚度小于像素限定層(2)的厚度,所述有機 發光層和第二電極層厚度之和大于像素限定層(2)的厚度。
10.一種有機發光顯示裝置的制備方法,其特征在于,包括如下步 驟:
S21、在基板(1)上制作導電層并圖形化形成若干第一電極層(3), 在第一電極層(3)涂覆有機光刻膠層,并經過曝光顯影形成像素限定層 (2)和貫穿所述像素限定層的隔離槽(7);
S22、采用蒸鍍的方式依次沉積有機發光層(4)和第二電極層(5), 所述有機發光層(4)和第二電極層(5)厚度之和小于像素限定層(2) 的厚度,所述像素限定層(2)的高度至少為有機發光層(4)厚度的兩 倍;
S23、在所述第二電極層(5)的上方采用霧化成膜或低溫快速蒸發 方式沉積透光導電聚合物層(8),所述透光導電聚合物層(8)的厚度大 于2um。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山國顯光電有限公司,未經昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510975405.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





