[發(fā)明專利]光纖用母材的制造裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510970821.2 | 申請日: | 2015-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN105712620B | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 寺嶋正美;長尾貴章;松永祐一 | 申請(專利權)人: | 信越化學工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | C03B37/014 | 分類號: | C03B37/014 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 日本東京市千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 用母材 制造 裝置 | ||
一種光纖用母材的制造裝置,包括反應容器;燃燒器,燃燒器的一部分從連通反應容器的內(nèi)部與外部之間的插入口插入到反應容器的內(nèi)部,朝向位于反應容器的內(nèi)部的原材料噴出火焰;以及密封結合部件,在插入口中在反應容器和燃燒器之間進行氣密地密封。密封結合部件包括:一端,密接在插入的燃燒器處;另一端,相對于燃燒器不進行接觸并且具有使燃燒器插入的孔,以及相對于反應容器進行密接;以及連接部,隔斷在一端與另一端之間的應力傳播,并且將一端和另一端氣密地連接。
[技術領域]
本發(fā)明涉及光纖用母材的制造裝置。
[背景技術]
作為光纖用母材的制造方法,具有軸向氣相沉積法(Vapor phase AxialDeposition method,VAD法),外氣相沉積法(Outside Vapor Deposition method,OVD法)等。在這些方法中,向在反應容器中使氫和氧燃燒的氫氧火焰中提供四氯化硅(SiCl
[現(xiàn)有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]特開平1-239033號公報
[發(fā)明內(nèi)容]
[發(fā)明要解決的問題]
在生長多孔質(zhì)母材的過程中,針對多孔質(zhì)母材的品質(zhì)變化的情況。
[解決課題的手段]
本發(fā)明的第一實施方式提供了一種光纖用母材的制造裝置,包括反應容器;燃燒器,燃燒器的一部分從連通反應容器的內(nèi)部與外部之間的插入口插入到反應容器的內(nèi)部,朝向位于反應容器的內(nèi)部的原材料噴出火焰;以及密封結合部件,在插入口中在反應容器和燃燒器之間進行氣密地密封,密封結合部件包括:一端,密接在插入的燃燒器處;另一端,相對于燃燒器不進行接觸并且具有使燃燒器插入的孔,以及相對于反應容器進行密接;以及連接部,隔斷在一端和另一端之間的應力傳播,并且將一端與另一端氣密地連接。
本發(fā)明的第二實施方式提供了一種光纖用母材的制造方法,其使用光纖用母材的制造裝置,該光纖用母材的制造裝置包括反應容器;燃燒器,燃燒器的一部分從連通反應容器的內(nèi)部與外部之間的插入口插入到反應容器的內(nèi)部;以及密封結合部件,在插入口中在反應容器和燃燒器之間進行氣密地密封,密封結合部件包括:一端,在插入的燃燒器處進行密接;另一端,相對于燃燒器不進行接觸并且具有使燃燒器插入的孔,以及相對于反應容器進行密接;以及連接部,隔斷在一端和另一端之間的應力傳播,并且將一端與另一端氣密地連接,所述制造方法使用所述制造裝置,朝向位于反應容器的內(nèi)部的原材料,從燃燒器噴出火焰。
上述的發(fā)明內(nèi)容并未列出本發(fā)明的全部特征。這些特征組的子組合也屬于本發(fā)明。
[附圖說明]
圖1是通過VAD方法制造光纖用母材210的制造裝置10的示意圖。
圖2是反應容器110和燃燒器130之間的密封構造的示意圖。
圖3是燃燒器靴狀部140的示意圖。
圖4是在光纖用母材210中徑向折射率分布的圖表。
圖5是反應容器110和燃燒器130之間的密封構造的示意圖。
圖6是在光纖用母材210中徑向折射率分布的圖表。
以下,通過發(fā)明的實施方式對本發(fā)明進行說明。以下實施方式不用于限制權利要求的范圍。實施方式中說明的全部特征的組合并不是發(fā)明的解決手段所必須的。
[具體實施方式]
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