[發(fā)明專利]金屬鎳基底上制備高密集微細(xì)鎳圓柱陣列的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510969313.2 | 申請日: | 2015-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN105603468B | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜立群;趙明;陶友勝;羅磊;李慶峰;鮑其雷 | 申請(專利權(quán))人: | 大連理工大學(xué) |
| 主分類號: | C25D1/00 | 分類號: | C25D1/00 |
| 代理公司: | 大連理工大學(xué)專利中心 21200 | 代理人: | 趙連明 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 基底 制備 密集 微細(xì) 圓柱 陣列 方法 | ||
1.在金屬鎳基底上制備高密集型微細(xì)鎳圓柱陣列的方法,烘箱,超聲清洗機(jī)、顯影液及其容器;包括在金屬鎳基底上,經(jīng)過兩次勻膠、曝光及超聲顯影工藝制作SU-8膠模(3),再通過超聲電鑄鎳、研磨、煮酸工藝實(shí)現(xiàn)圓柱陣列的制作;最后通過退火工藝去除圓柱陣列(2)的殘余應(yīng)力;具體步驟如下:
步驟一,鎳基板預(yù)處理:首先使用研磨拋光機(jī)對金屬鎳基板進(jìn)行研磨拋光處理,去除表面缺陷獲得鏡面鎳基板(1),鎳基板(1)表面粗糙度小于0.04μm;然后使用丙酮棉球擦拭,接著依次使丙酮、乙醇溶液對鎳基板(1)進(jìn)行超聲清洗;超聲清洗后使用去離子水沖洗,沖洗干凈后吹干,最后放入烘箱中烘干備用;
步驟二,SU-8膠模制作:兩次甩膠工藝在臺式勻膠機(jī)上進(jìn)行,通過設(shè)置不同的轉(zhuǎn)速、時(shí)間來得到厚度不同的兩層SU-8膠模,其中第一層SU-8膠模生成后,經(jīng)過自平整、進(jìn)行第一次前烘;然后是第二次甩膠,第二次甩膠是為了讓SU-8膠模(3)表面更加平整,并進(jìn)行第二次前烘;然后,在曝光機(jī)上用帶有預(yù)設(shè)圓柱陣列圖案的掩膜板(4)對SU-8膠模(3)曝光,曝光后對SU-8膠模(3)進(jìn)行后烘;之后,將SU-8膠模(3)浸入盛有SU-8顯影液的容器內(nèi)進(jìn)行顯影,顯影在超聲環(huán)境下進(jìn)行,最終得到可用于超聲電鑄的SU-8膠模結(jié)構(gòu)(3);
步驟三,超聲微電鑄鎳:采用無背板工藝在鎳基板(1)上直接進(jìn)行圓柱陣列的電鑄;電鑄過程在有電鑄液的超聲環(huán)境中進(jìn)行,同時(shí)施加陰極移動(dòng)和循環(huán)過濾;電鑄后生成圓柱陣列(2);
步驟四,研磨:通過一般的研磨工藝去除圓柱陣列(2)表面的缺陷獲得平整表面;
步驟五,去除SU-8膠:將待去膠的鎳基板(1)和圓柱陣列(2)放入煮沸的濃硫酸中,待SU-8膠模(3)全部溶解后取出,使用去離子水清洗后得到圓柱陣列(2)和鎳基板(1);
步驟六,真空退火:對去膠后的圓柱陣列(2)和鎳基板(1)進(jìn)行高溫真空退火。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在金屬鎳基底上制備高密集型微細(xì)鎳圓柱陣列的方法,其特征在于,曝光過程中掩膜板(4)和膠模接觸,通過曝光工藝將掩膜板(4)上的圖形轉(zhuǎn)移到SU-8膠模上,掩膜板(4)的圖案不局限于圓形陣列,可以是橢圓陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在金屬鎳基底上制備高密集型微細(xì)鎳圓柱陣列的方法,其特征在于,步驟二中的輔助顯影的超聲頻率為120KHz,功率為80-150W。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在金屬鎳基底上制備高密集型微細(xì)鎳圓柱陣列的方法,其特征在于,步驟六中退火時(shí)絕對真空度為10-3Pa,溫度為350~400℃,退火時(shí)間2-2.5h,然后隨爐冷卻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在金屬鎳基底上制備高密集型微細(xì)鎳圓柱陣列的方法,其特征在于,步驟三中超聲電鑄超聲頻率為120KHz,功率為100W-200W。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在金屬鎳基底上制備高密集型微細(xì)鎳圓柱陣列的方法,其特征在于,步驟三中電鑄液配方為:氨基磺酸鎳365~375g/L、氯化鎳6~10g/L、硼酸55~60g/L;微電鑄鎳工藝條件為:pH值3.9~4.1、溫度48℃~52℃、電流密度0.5~1A/dm2。
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