[發明專利]數據存儲裝置及其操作方法與數據處理系統

有效

• 申請號: 201510969163.5
• 申請日: 2015-12-22
• 公開（公告）號: CN105718385B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 李東煥;孔駿鎮;薛昶圭;孫弘樂
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F12/0802
• 分類號: G06F12/0802
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;崔卿虎

本發明提供了一種操作數據存儲裝置的方法，其能夠補償多個存儲器單元的初始閾電壓漂移。所述方法包括：產生針對第一寫地址的第一壓縮值，所述第一寫地址對應于在不同的時間間隔中的第一時間間隔期間輸入的第一寫請求；以及將第一壓縮值存儲在多個表中的第一表中。本發明還提供了一種數據存儲裝置和數據處理系統。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2014年12月23日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2014-0186967的優先權，該申請的全部內容以引用方式并入本文中。

技術領域

本發明構思的實施例涉及一種數據存儲裝置、其操作方法和包括該數據存儲裝置的數據處理系統，更具體地說，涉及一種包括表的數據存儲裝置，所述表存儲針對在預定時段輸入的地址的壓縮值作為用于補償初始閾電壓的漂移的值。

背景技術

用于存儲數據的存儲器裝置可劃分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。存儲器裝置的特性會隨著使用環境、使用次數和/或使用時間而變化。

閃速存儲器裝置是在單個編程操作中對多個存儲器單元進行擦除或編程的電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)的示例。在利用浮置柵極技術的閃速存儲器裝置中，就可靠性而言，數據保持特性和質量不劣化的編程-擦除(P/E)循環的次數(即，耐久性)是重要問題。

在位于閃速存儲器裝置內的閃速存儲器單元中存儲的電荷或電子會通過各種失效機制從浮置柵極泄漏，所述失效機制諸如通過有缺陷的極間絕緣膜的熱離子發射、電荷擴散、離子雜質或編程干擾應力。這種泄漏將導致閾電壓的降低。

重復的P/E循環對閃速存儲器單元的存儲器晶體管氧化膜造成應力，并且該應力會在閃速存儲器單元中導致失效。閃速存儲器單元的閾電壓會由于該應力而漂移(增大或減小)。例如，電子會從經編程的閃速存儲器單元的浮置柵極泄漏。因此，經編程的閃速存儲器單元的閾電壓分布會朝著更低的電壓漂移。

閃速存儲器單元的初始閾電壓會具有基于工藝和設計目標的有限分布。然而，初始閾電壓的分布根據使用環境、使用次數和/或使用時間而改變。當在包括閃速存儲器單元的存儲器裝置上執行編程操作或讀操作時，需要適當地控制初始閾電壓分布。當沒有適當地控制初始閾電壓分布時，在存儲器裝置上不能適當地執行程序或讀操作。

發明內容

本發明構思的各個實施例提供了一種數據存儲裝置、一種操作所述數據存儲裝置的方法，以及包括所述數據存儲裝置的數據處理系統，所述數據存儲裝置包括存儲針對在預定時段輸入的地址的壓縮值作為用于補償初始閾電壓漂移的值的表，以確保合適的操作。

根據本發明構思的實施例，提供了一種操作數據存儲裝置的方法，其能夠補償多個存儲器單元的初始閾電壓漂移。該方法包括：產生針對第一寫地址的第一壓縮值，所述第一寫地址對應于在不同的時間間隔中的第一時間間隔期間輸入的第一寫請求；以及將第一壓縮值存儲在多個表中的第一表中。

將第一壓縮值存儲在第一表中的步驟可包括：利用對應于第一寫請求的第一時間戳從所述多個表中選擇第一表；以及將第一壓縮值存儲在選中的第一表中。

所述方法還可包括步驟：產生針對讀地址的第二壓縮值，所述讀地址對應于在所述不同的時間間隔中的第二時間間隔期間輸入的讀請求；在所述多個表中搜索存儲了與第二壓縮值相同的第一壓縮值的第一表；基于第一表的索引補償所述存儲器單元的初始閾電壓漂移；以及利用對應于補償后的初始閾電壓漂移的讀電壓執行對應于所述讀請求的讀操作。所述不同的時間間隔可分別對應于所述多個表。

可基于對應于讀請求的第二時間戳和第一表的索引執行補償初始閾電壓漂移的步驟。另外，補償初始閾電壓漂移的步驟可包括：基于第二時間戳和第一表的索引產生控制碼；將所述控制碼存儲在包括所述多個存儲器單元的存儲器中；以及利用存儲在存儲器中的控制碼補償所述存儲器單元的初始閾電壓漂移。