[發明專利]存儲設備、非易失性存儲器以及操作其的方法

有效

• 申請號: 201510968903.3
• 申請日: 2015-12-22
• 公開（公告）號: CN105718381B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 李澈;姜南旭;都仁煥;樸贊益
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 錢大勇

一種操作存儲設備的方法，包括：當指向存儲塊的存儲單元的兩個連續編寫操作之間的編寫間隔小于最小編寫間隔時，和/或當指向存儲塊的兩個連續擦除操作之間的擦除間隔小于最小擦除間隔時，計數針對存儲塊的快周期數，并且響應于針對存儲塊的快周期計數，選擇要被擦除操作擦除的存儲塊或選擇要被編寫操作編寫的存儲塊的存儲單元。

相關專利申請的交叉引用

本申請主張于2014年12月22日提交的韓國專利申請10-2014-0186298的優先權，通過參照將其主題合并于此。

技術領域

本發明構思通常涉及非易失性存儲設備、包括至少一個非易失性存儲設備的存儲設備或存儲系統以及操作其的方法。更具體地說，本發明構思涉及在改善數據可靠性的地址可能問題的存儲系統中操作非易失性存儲設備的方法。

背景技術

非易失性存儲設備已經成為諸如那些在計算機、智能電話以及其它便攜、個人電子設備中典型使用的現代存儲系統中的重要和基本的組件。非易失性存儲設備包括例如只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、諸如快閃存儲器的電可擦除可編程ROM(EEPROM)、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、電阻性RAM(RRAM)以及鐵電RAM(FRAM)。

針對現代非易失性存儲設備的設計、制造和操作目標以存儲單元集成度非常高、操作速度快、電流消耗小以及生產成本低為特點。遺憾的是，隨著單個存儲單元的物理尺寸和存儲單元陣列中相鄰和鄰近存儲存儲單元之間的物理間隔被減小以滿足這些設計目標，所存儲數據的可靠性會受到破壞。

發明內容

根據本發明構思的實施例，操作存儲設備的方法，存儲設備包括存儲控制器和包括存儲塊的非易失性存儲器，所述方法包括：當針對存儲塊的存儲單元的兩個連續編寫操作之間的編寫間隔小于最小編寫間隔時，并且當針對存儲塊的兩個連續擦除操作之間的擦除間隔小于最小擦除間隔時，計數針對存儲塊的快周期數；以及響應于針對存儲塊的被計數的快周期數，選擇要被擦除操作擦除的存儲塊或者選擇要被編寫操作編寫的存儲塊的存儲單元。

根據本發明構思的另一實施例，操作包存儲設備的方法，存儲設備包括存儲控制器和包括存儲塊的非易失性存儲器，所述方法包括：當針對每個存儲塊的存儲單元的兩個連續編寫操作之間的編寫間隔小于最小編寫間隔時，并且當針對存儲塊的兩個連續擦除操作之間的擦除間隔小于最小擦除間隔時，分別計數針對多個存儲塊的每一個的快周期數；基于針對多個存儲塊的每一個的快周期計數以及指向多個存儲塊的每一個的擦除操作數，計算針對多個存儲塊的每一個的磨損指數；以及響應于針對所選擇存儲塊的快周期計數，從要被擦除操作擦除的多個存儲塊當中選擇存儲塊，或者選擇要被編寫操作編寫的存儲塊的存儲單元。

根據本發明構思的另一實施例，操作具有被劃分為存儲塊的存儲單元陣列的非易失性存儲設備的方法包括：當指向每個存儲塊的存儲單元的兩個連續編寫操作之間的編寫間隔小于最小編寫間隔時，并且當指向每個存儲塊的兩個連續擦除操作小于最小擦除間隔時，計數針對存儲塊的每一個的快周期數；以及響應于針對存儲塊的快周期計數，從要被擦除操作擦除的存儲塊當中選擇存儲塊，或選擇要被編寫操作編寫的存儲塊的存儲單元。

附圖說明

參照附圖考慮其某些實施例，本發明構思的以上和其它特點將變得更加顯然，其中：

圖1是示出根據本發明構思實施例的存儲設備的框圖；

圖2是總結根據本發明構思實施例的存儲設備的操作順序的流程圖；

圖3是進一步示出圖3的非易失性存儲器110的框圖；

圖4是示出根據本發明實施例的存儲塊的部分電路圖；

圖5是示出與存儲塊相關地運行的一系列編寫和擦除操作的構思圖；