[發明專利]自對準二維晶體材料場效應半導體器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201510967906.5 | 申請日： | 2015-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN105609539B | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 王剛;李平;張慶偉 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/04 | 分類號： | H01L29/04;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 成都惠迪專利事務所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 劉勛 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 對準 二維 晶體 材料 場效應 半導體器件 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.自對準二維晶體材料場效應半導體器件制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)選用絕緣襯底上的帶有埋氧化層的硅晶片為基底，按預設的掩膜圖形對硅晶片的頂層硅進行圖形化刻蝕，直至露出硅晶片中的埋氧化層，形成源電極溝槽和漏電極溝槽，并以頂層硅作為柵電極；
(2)在源電極溝槽的側面、漏電極溝槽的側面和頂層硅的頂面形成二氧化硅介質層；
(3)在源電極溝槽和漏電極溝槽內沉積金屬直至完全填滿溝槽；
(4)對器件表面進行平坦化至暴露出頂層硅頂面的二氧化硅介質層；
(5)在器件上表面設置二維晶體材料，二維晶體材料和柵電極之間以二氧化硅介質層隔離，并對二維晶體材料進行圖形化，使其連接源電極和漏電極且保留柵電極孔位置；
(6)刻蝕形成柵電極孔，并在柵電極孔內設置柵電極導體；
(7)在器件表面形成鈍化層并進行刻蝕，露出器件的柵、源、漏電極。
2.如權利要求1所述的自對準二維晶體材料場效應半導體器件制備方法，其特征在于，所述二維晶體材料為：石墨烯、黑磷、硅烯、鍺烯、錫烯或者二硫化鉬。
3.如權利要求1所述的自對準二維晶體材料場效應半導體器件制備方法，其特征在于，所述柵電極導體為金屬或金屬硅化物。
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