[發(fā)明專利]一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝及其制品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510967437.7
• 申請日: 2015-12-22
• 公開（公告）號: CN105428325B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭桂冠;王政堯
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/13;H01L21/56
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司44214
• 代理人: 付春霞

1.一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，其制備工藝步驟為：

1）進(jìn)行基板加工，得到單層基板；

2)對得到的單層基板進(jìn)行元件封裝和膠封，得到單層基板封裝體；

3）采用半切工藝對單層基板封裝體進(jìn)行半切，形成通過背銅相連的獨立封裝體；

4）對通過背銅相連的獨立封裝體的背銅以外的表面進(jìn)行金屬屏蔽層電鍍；

5）移除底層連接處的背銅，露出底面引腳，得到獨立的半成品封裝體；

6）對半成品封裝體進(jìn)行集中翻轉(zhuǎn)固定，對其底面引腳進(jìn)行集中處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，在第1)步中進(jìn)行基板加工，得到單層基板的具體步驟為：

a）取一載板，在載板的上下兩面分別壓合銅層，將銅層均蝕刻變薄，在載板兩面的銅層上電鍍銅柱；

b）待銅柱電鍍結(jié)束后，在載板的兩面壓合BT樹脂和金屬銅層，使銅柱封裝于BT樹脂層中，得到基體；

c）在基體上開銅窗和鉆孔，將開設(shè)的銅窗和鉆孔進(jìn)行電鍍，形成引腳；對基體上的金屬銅層進(jìn)行圖形光刻和蝕刻，形成第一導(dǎo)線層，此時形成基板基體；

d）在基板基體上的引腳處設(shè)置阻焊層，阻焊層為防焊膜綠漆；

e）在基板基體上的引腳處表面電鍍鎳層或金層；

f）將基板基體上的載板移除，分別得到載板兩側(cè)的單層基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，所述帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的厚度為0.2-0.8mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，第2）步對單層基板封裝體進(jìn)行元件封裝和膠封時的具體步驟為：對得到的單層基板封裝體進(jìn)行元件封裝和引線鍵合或倒裝芯片操作，固化IC芯片后，并進(jìn)行膠封，使IC芯片、引腳、鍵合線或凸塊封裝于膠封體內(nèi)，膠封體的厚度為0.175-0.48mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，第3）步采用半切工藝對單層基板封裝體進(jìn)行半切的具體步驟為：對第2）步中得到的單層基板封裝體進(jìn)行鐳射切割，采用halfcut工藝對單層基板封裝體進(jìn)行半切，形成通過背銅相連的獨立封裝體，半切時保留單層基板封裝體的背銅不被切穿，保留的背銅銅層厚度為11-25um，相鄰封裝體間的半切間距為0.125-0.8mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝體的制備工藝，其特征在于，第4）步鍍金屬屏蔽層時，在獨立封裝體除底面背銅以外的表面鍍銅或不銹鋼，使金屬屏蔽層的厚度大于1um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，在第6）步中，對底面引腳進(jìn)行集中處理時，通過植錫球或印刷錫膏對引腳進(jìn)行集中處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于，在第6）步中，對底面引腳進(jìn)行集中處理時，通過化鍍對引腳進(jìn)行處理，先在引腳上鍍一層鎳層，然后再鍍一層金層。

9.根據(jù)上述權(quán)利要求所制得的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬屏蔽層、膠封體、阻焊層、鎳或金層、單層基板、BT樹脂層、封裝元件、引腳；其特征在于：所述的金屬屏蔽層覆蓋在單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)除底層外的表面上，金屬屏蔽層的厚度大于1um。

10.根據(jù)上述權(quán)利要求9所述的一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：封裝結(jié)構(gòu)的單層基板的厚度為0.05-0.3mm。