[發(fā)明專利]改善刻蝕工藝終點(diǎn)監(jiān)測準(zhǔn)確性的方法、刻蝕方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510960586.0
• 申請日: 2015-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN106898561A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃智林;黃秋平;王洪青;嚴(yán)利均;倪圖強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙)31249
• 代理人: 徐雯瓊,張靜潔

1.一種改善博世法刻蝕工藝終點(diǎn)監(jiān)測準(zhǔn)確性的方法，包括：

獲取博世法刻蝕工藝的工藝菜單；

更改工藝菜單中某些步驟的氣壓參數(shù)，以使該工藝菜單中刻蝕步驟與沉積步驟的氣壓相等；

對于氣壓參數(shù)被更改的步驟，調(diào)整工藝菜單中該步驟的其它參數(shù)，以補(bǔ)償其氣壓參數(shù)的更變；

根據(jù)該更改氣壓參數(shù)和調(diào)整其它參數(shù)的步驟，獲得新的工藝菜單；

執(zhí)行該新的工藝菜單，以進(jìn)行刻蝕。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，調(diào)整其它參數(shù)的步驟中，通過調(diào)整該步驟的執(zhí)行時(shí)長來補(bǔ)償氣壓參數(shù)的變更。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，調(diào)整其它參數(shù)的步驟中，通過調(diào)整該步驟的射頻源功率來補(bǔ)償氣壓參數(shù)的變更。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，調(diào)整其它參數(shù)的步驟中，通過同時(shí)調(diào)整該步驟的執(zhí)行時(shí)長和射頻源功率來補(bǔ)償氣壓參數(shù)的變更。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行該新的工藝菜單后，檢測刻蝕結(jié)果，假如發(fā)現(xiàn)該其它參數(shù)的調(diào)整未能完全補(bǔ)償該氣壓參數(shù)的變更，則繼續(xù)對該步驟的其它參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行該新的工藝菜單后，檢測刻蝕結(jié)果，假如發(fā)現(xiàn)該其它參數(shù)的調(diào)整的補(bǔ)償作用超出該氣壓參數(shù)的變更，則繼續(xù)對該步驟的其它參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，采用光學(xué)發(fā)射光譜原位檢測技術(shù)對刻蝕終點(diǎn)進(jìn)行監(jiān)測。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該工藝菜單中刻蝕步驟與沉積步驟采用不同的反應(yīng)氣體。

9.一種利用博世法進(jìn)行刻蝕的方法，所述方法包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟，其特征在于，所述刻蝕步驟與所述沉積步驟在同一氣壓值下進(jìn)行。

10.一種利用博世法進(jìn)行刻蝕的方法，包括設(shè)置工藝菜單的步驟與執(zhí)行該工藝菜單以進(jìn)行刻蝕的步驟，所述工藝菜單中包含刻蝕步驟與沉積步驟；

其中，所述設(shè)置工藝菜單的步驟包括設(shè)置工藝參數(shù)的步驟，所述工藝參數(shù)包括可瞬變參數(shù)與漸變參數(shù)，在設(shè)置工藝參數(shù)的步驟中，將刻蝕步驟與沉積步驟的漸變參數(shù)設(shè)置為相同。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述漸變參數(shù)包括反應(yīng)腔的氣壓。