[發明專利]一種可減少偏壓控制信號的射頻開關

在審

• 申請號: 201510957384.0
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN106911326A
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 石雯;李思成;曹建;楊澄思;盧煜旻
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H04B1/38
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙)11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種可減少偏壓控制信號的射頻開關，該射頻開關包括至少二個射頻場效應晶體管，所述射頻場效應晶體管相互串聯，其特征在于：各射頻場效應晶體管的柵極共用一個柵極偏壓控制信號Vgate，每個射頻場效應晶體管的柵極和體極共用所述柵極偏壓控制信號Vgate，所述射頻場效應晶體管的柵極和體極通過一個二極管相連，所述二極管的正極與所述體極相連，所述二極管的負極與所述柵極相連，所述柵極偏壓控制信號Vgate施加在所述柵極，并通過所述二極管的正極向所述射頻場效應晶體管的體極施加偏壓。

2.如權利要求1所述的射頻開關，其特征在于：所述二極管可以為二極管連接的射頻場效應晶體管。

3.如權利要求1所述的射頻開關。其特征在于：各射頻場效應晶體管的源/漏極均與源/漏極偏壓控制信號Vds相連。

4.一種單刀多擲射頻開關，包括多個開關支路構成，其特征在于：每個開關支路包括如權利要求1-3中任一項所述的可減少偏壓控制信號的射頻開關，其中多個偏壓控制信號分別控制每個開關支路的導通和關閉。

5.如權利要求4所述的單刀多擲射頻開關，其特征在于：包括至少4個開關支路。