[發明專利]PERC晶體硅太陽能電池生產中的堿拋光方法在審
| 申請號: | 201510945459.3 | 申請日: | 2015-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN105428450A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發明(設計)人: | 黃金;李高非;王繼磊;付少劍;張娟;白炎輝 | 申請(專利權)人: | 晉能清潔能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 鎮江京科專利商標代理有限公司 32107 | 代理人: | 夏哲華 |
| 地址: | 033000 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | perc 晶體 太陽能電池 生產 中的 拋光 方法 | ||
1.一種PERC晶體硅太陽能電池生產中的堿拋光方法,其特征是:對單晶硅片進行常規的制絨、擴散、刻蝕槽去除邊緣與背面的PN結、正面PECVD鍍氮化硅膜工序后,利用帶式傳動方式刻蝕去除背表面及邊緣繞鍍氮化硅,然后經過堿槽進行背表面拋光處理;再通過原子層沉積背面鍍氧化鋁薄膜后,進行常規的激光開槽、絲網印刷正背面金屬漿料、燒結工序,制得PERC電池片。
2.根據權利要求1所述的PERC晶體硅太陽能電池生產中的堿拋光方法,其特征是:在利用帶式傳動方式刻蝕去除背表面及邊緣繞鍍氮化硅的過程中,帶速為1.8-2.3m/min,配液體積比為HNO3:HF=10:1-4:1,刻蝕去除背表面及邊緣繞鍍氮化硅。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





