[發(fā)明專利]TSV孔的制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510943086.6
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號: CN105428310A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮光建
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 殷紅梅;劉海

1.一種TSV孔的制作方法，其特征是，包括以下步驟：

（1）在晶圓（1）背面通過光刻工藝制作出TSV孔（2），露出晶圓（1）正面的焊盤（3）；在晶圓（1）背面沉積絕緣層（4），絕緣層（4）覆蓋晶圓（1）的背面、TSV孔（2）的側(cè)壁和孔底；刻蝕絕緣層（4），露出焊盤（3），并在晶圓（1）背面保留一定厚度的絕緣層（4）；

（2）在晶圓（1）背面沉積金屬薄膜（5），在金屬薄膜（5）上沉積保護(hù)層（6）；

（3）移除晶圓（1）背面的保護(hù)層（6）直至露出金屬薄膜（5），并在TSV孔（2）的底部保留一定厚度的保護(hù)層余量。

2.如權(quán)利要求1所述的TSV孔的制作方法，其特征是：所述步驟（1）具體采用以下工藝：

步驟1-1、在晶圓（1）的背面涂光刻膠，經(jīng)曝光顯影露出TSV孔的開口圖形，再通過干法刻蝕或者濕法腐蝕工藝在TSV孔的開口圖形處對晶圓（1）背面進(jìn)行刻蝕形成TSV孔（2），然后沉積絕緣層（4）；晶圓（1）背面的絕緣層（4）厚度為1μm~5μm，TSV孔（2）的孔底絕緣層（4）厚度為100nm~2μm；

步驟1-2、對晶圓（1）背面進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕掉TSV孔（2）底部的絕緣層露出焊盤（3），晶圓（1）背面保留200nm~4μm的絕緣層剩余量。

3.如權(quán)利要求1所述的TSV孔的制作方法，其特征是：所述步驟（2）具體采用以下工藝：

步驟2-1、在晶圓（1）背面沉積金屬薄膜（5），金屬薄膜（5）覆蓋晶圓（1）的背面、TSV孔（2）的側(cè)壁和底部；

步驟2-2、在晶圓（1）背面的金屬薄膜（5）上沉積保護(hù)層（6），晶圓（1）背面的保護(hù)層（6）厚度為1μm~5μm，TSV孔（2）的底部保護(hù)層（6）厚度為100nm~2μm。

4.如權(quán)利要求1所述的TSV孔的制作方法，其特征是：所述步驟（3）具體采用以下工藝：對晶圓（1）背面進(jìn)行CMP工藝，將晶圓（1）背面的保護(hù)層（6）移除露出金屬薄膜（5），并在TSV孔（2）的底部保留一定厚度的保護(hù)層余量。

5.如權(quán)利要求1所述的TSV孔的制作方法，其特征是：所述步驟（3）中TSV孔（2）底部的保護(hù)層余量厚度為10nm~1.5μm。

6.一種TSV孔的制作方法，其特征是，包括以下步驟：

（1）在晶圓（1）背面沉積第一絕緣層（4-1），通過光刻工藝制作出TSV孔（2），露出晶圓（1）正面的焊盤（3）；在晶圓（1）背面沉積第二絕緣層（4-2），第二絕緣層（4-2）覆蓋晶圓（1）背面的第一絕緣層（4-1）、TSV孔（2）的側(cè)壁和孔底；刻蝕第二絕緣層（4-2），露出焊盤（3），并在晶圓（1）背面保留一定厚度的第二絕緣層（4-2）；

（2）在晶圓（1）背面沉積金屬薄膜（5），在金屬薄膜（5）上沉積保護(hù)層（6）；

（3）移除晶圓（1）背面的保護(hù)層（6）直至露出金屬薄膜（5），并在TSV孔（2）的底部保留一定厚度的保護(hù)層余量。