[發(fā)明專利]封裝于修飾納米介孔材料中的負(fù)載型抗靜電劑及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510940355.3
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號: CN105585738B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐萍;司晶晶;李銳
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: C08K9/12
• 分類號: C08K9/12;C08L25/06
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種封裝于修飾納米介孔材料中的負(fù)載型抗靜電劑的制備方法，其特征在于具體制備步驟如下：

（1）將納米介孔材料超聲分散于無水乙醇中，超聲分散5~30分鐘，獲得濃度為10~50mg/mL的納米介孔材料分散液；將硅烷偶聯(lián)劑溶解于無水乙醇中，獲得濃度為10~50 wt%的硅烷偶聯(lián)劑溶液；將上述硅烷偶聯(lián)劑溶液與納米介孔材料分散液混合后，回流10~50小時(shí)；冷卻至室溫后過濾、洗滌、干燥，得到孔壁修飾的納米介孔材料；

所述納米介孔材料為硅基介孔材料；所述硅基介孔材料選自為MCM-22、MCM-41、MCM-48和SBA-15；所述硅烷偶聯(lián)劑為氨基硅烷類偶聯(lián)劑；所述氨基硅烷類偶聯(lián)劑為單氨基硅烷類偶聯(lián)劑、雙氨基硅烷類偶聯(lián)劑、三氨基硅烷類偶聯(lián)劑或多氨基硅烷類偶聯(lián)劑；納米介孔材料與硅烷偶聯(lián)劑的質(zhì)量之比為（0.05~0.5）:1；

（2）將表面活性劑型抗靜電劑溶解于無水乙醇中，制備濃度為10~50 mg/mL的表面活性劑型抗靜電劑溶液；

（3）將孔壁修飾的納米介孔材料超聲分散于表面活性劑型抗靜電劑溶液中；在常溫下，攪拌4~72小時(shí)，經(jīng)過濾、洗滌、干燥，得到封裝于修飾納米介孔材料中的負(fù)載型抗靜電劑。

2.如權(quán)利要求1所述的負(fù)載型抗靜電劑的制備方法，其特征在于所述孔壁修飾納米介孔材料與表面活性劑型抗靜電劑的質(zhì)量之比為（0.2~0.5）:1。

3.如權(quán)利要求1所述的負(fù)載型抗靜電劑的制備方法，其特征在于所述表面活性劑型抗靜電劑包含親油性部分和具有吸濕性基團(tuán)的親水性部分；親油性部分為烷烴鏈或其衍生物；親水性部分為陽離子型、陰離子型或非離子型。

4.如權(quán)利要求3所述的負(fù)載型抗靜電劑的制備方法，其特征在于所述陽離子型為季銨鹽類或烷基咪唑啉陽離子；陰離子型為烷基磺酸鹽；非離子型為脂肪酸多元醇酯或烷醇胺。

5.如權(quán)利要求1所述的負(fù)載型抗靜電劑的制備方法，其特征在于所述攪拌為磁力攪拌或機(jī)械攪拌。

6.如權(quán)利要求1~5之一所述的制備方法制備獲得的封裝于修飾納米介孔材料中的負(fù)載型抗靜電劑。

7.如權(quán)利要求6所述封裝于修飾納米介孔材料中的負(fù)載型抗靜電劑在制備抗靜電高分子材料中的應(yīng)用。

8.如權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于具體步驟如下：

將所述負(fù)載型抗靜電劑和聚苯乙烯按質(zhì)量比（0.3~3）:100進(jìn)行物理混合，混合均勻后，進(jìn)行熔融共混或溶液共混。

9.如權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其特征在于熔融共混加工法具體步驟為：將所述負(fù)載型抗靜電劑與聚苯乙烯加入雙螺桿擠出機(jī)中，溫度為160 ~ 210℃，共混時(shí)間為5~15分鐘，擠出造粒，得到改性的聚苯乙烯。

10. 如權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其特征在于溶液共混加工法具體步驟為：將所述負(fù)載型抗靜電劑加入到2 ~ 15倍質(zhì)量比的二甲苯溶劑中，超聲分散15~30分鐘；將聚苯乙烯加入到上述溶液中，持續(xù)攪拌溶解0.5 ~ 130小時(shí)，攪拌溫度20~150 ℃，攪拌速率200~2000 rpm，得到負(fù)載型抗靜電劑/聚苯乙烯的混合溶液；將混合溶液在模具中進(jìn)行澆膜或刮膜，真空干燥脫模后即得測試樣件。