[發(fā)明專利]具有減小的柵極電阻的功率FET

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510939092.4
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN105702654A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·洛利奧;T·D·亨森;馬玲;H·奈克;N·蘭簡
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技美國公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種功率場效應(yīng)晶體管(FET)，包括：

漏極、源極和柵極；

柵極觸點，其包括柵極焊盤、柵極高速通道以及多個柵極總線；

所述多個柵極總線由具有第一厚度的第一金屬層形成；

所述柵極焊盤和所述柵極高速通道均包括金屬堆疊，所述金屬堆 疊包括所述第一金屬層和第二金屬層；

所述第二金屬層具有明顯大于所述第一厚度的第二厚度，由此減 小所述功率FET的柵極電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述第二厚度至少比所 述第一厚度大三倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述第一金屬層和第二 金屬層包括相同的金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述第一金屬層和所述 第二金屬層中的至少一個包括鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述第一金屬層和所述 第二金屬層中的至少一個包括鋁硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述第一金屬層和所述 第二金屬層中的至少一個包括銅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，進(jìn)一步包括源極觸點，所述 源極觸點由所述第二金屬層形成并且位于所述多個柵極總線上并且 與所述多個柵極總線電隔離。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述功率FET是豎直 IV族FET。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述功率FET是豎直 硅質(zhì)FET。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率FET，其中所述功率FET被實施 為功率轉(zhuǎn)換器的控制FET和同步FET中的至少一種。

11.一種豎直功率場效應(yīng)晶體管(FET)，包括：

襯底，具有位于漏極之上的漂移區(qū)、位于所述漂移區(qū)之上的主體 區(qū)、其中具有柵極電極并且延伸至所述漂移區(qū)之中的柵極溝槽、和與 所述柵極溝槽相鄰的源極區(qū)；

柵極觸點，電耦合至所述柵極電極，所述柵極觸點包括柵極焊盤、 柵極高速通道和多個柵極總線；

所述多個柵極總線由具有第一厚度的第一金屬層形成；

所述柵極焊盤和所述柵極高速通道均包括金屬堆疊，所述金屬堆 疊包括所述第一金屬層和第二金屬層；

所述第二金屬層具有明顯大于所述第一厚度的第二厚度，由此減 小所述豎直功率FET的柵極電阻。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述第二厚度至 少比所述第一厚度大三倍。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述第一金屬層 和第二金屬層包括相同的金屬。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述第一金屬層 和所述第二金屬層中的至少一個包括鋁。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述第一金屬層 和所述第二金屬層中的至少一個包括鋁硅。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述第一金屬層 和所述第二金屬層中的至少一個包括銅。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，進(jìn)一步包括源極觸 點，所述源極觸點由所述第二金屬層形成并且位于所述多個柵極總線 上并且與所述多個柵極總線電隔離。

18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述功率FET 是IV族FET。

19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述功率FET 是硅質(zhì)FET。

20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的豎直功率FET，其中所述功率FET 被實施為功率轉(zhuǎn)換器的控制FET和同步FET中的至少一種。