[發明專利]一種嵌入式系統及其控制方法

有效

• 申請號: 201510933701.5
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN106886495B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 高海洋;王景華
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G06F12/0831
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

本發明公開了一種嵌入式系統及其控制方法，所述系統包括：總線、存儲器地址交換寄存器、存儲器地址交換控制模塊、第一閃存存儲器、第二閃存存儲器和隨機存取存儲器，存儲器地址交換控制模塊，用于在存儲器地址交換寄存器為復位值時，控制第一閃存存儲器直接與總線相連，以及控制第二閃存存儲器通過存儲器地址交換控制模塊與總線連接，還用于在存儲器地址交換寄存器為置位值時，控制第二閃存存儲器直接與總線相連，以及控制第一閃存存儲器通過存儲器地址交換控制模塊與總線連接。采用該系統，以較少的隨機存取存儲器，將盡可能多的閃存存儲器中的程序數據通過隨機存取存儲器讀取，提高讀取速度，節約成本。

技術領域

本發明涉及嵌入式系統技術領域，尤其涉及一種嵌入式系統及其控制方法。

背景技術

微控制單元(Micro Control Unit，MCU)，又稱單片微型計算機或者單片機，是指隨著大規模集成電路的出現及其發展，將計算機的中央處理器(Central ProcessingUnit，CPU)、隨機存取存儲器(Random Access Memory，RAM)、只讀存儲器(Read-OnlyMemory，ROM)、定時計數器和多種輸入/輸出接口等集成在一片芯片上，形成芯片級的計算機，為不同的應用場合做不同組合控制。閃存(Flash Memory，簡稱Flash)是一種非易失性存儲器，既能在掉電的情況下保存數據，又能夠進行多次擦除和編程，具有較高的靈活性，逐漸成為MCU中非常重要的程序、數據存儲器。

隨著MCU的發展，MCU中Flash的容量越來越大，Flash的讀取速度成為制約MCU發展的一個重要因素。為了提升Flash的讀取速度，大多采取將Flash中程序數據復制到與之相連的RAM中，RAM的讀取速度遠大于Flash的讀取速度，從而提高對這部分程序數據的讀取速度。

但是現有技術中，為了提升更多Flash的讀取速度，通過增加RAM單元來映射更多Flash單元，RAM單元和Flash單元一一對應設置，而一個RAM單元一般是由6個晶體管組成，比Flash單元需要更多的面積，因此現有技術存在成本較高的缺陷。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種嵌入式系統及其控制方法，旨在使用較少的RAM，將盡可能多的Flash通過RAM提高讀取速度，節約成本。

第一方面，本發明實施例提供了一種嵌入式系統，包括：

總線、存儲器地址交換寄存器、存儲器地址交換控制模塊、第一閃存存儲器、第二閃存存儲器和隨機存取存儲器；

所述存儲器地址交換寄存器、所述存儲器地址交換控制模塊分別與所述總線連接；

所述存儲器地址交換控制模塊還分別與所述第一閃存存儲器、所述第二閃存存儲器和所述隨機存取存儲器連接，用于在所述存儲器地址交換寄存器為復位值時，控制所述第一閃存存儲器直接與所述總線相連，以及控制所述第二閃存存儲器通過所述存儲器地址交換控制模塊與所述總線連接，且將所述第二閃存存儲器的程序數據寫入到所述隨機存取存儲器；

所述存儲器地址交換控制模塊還用于在所述存儲器地址交換寄存器為置位值時，控制所述第二閃存存儲器直接與所述總線相連，以及控制所述第一閃存存儲器通過所述存儲器地址交換控制模塊與所述總線連接，且將所述第一閃存存儲器的程序數據寫入到所述隨機存取存儲器。

可選的，所述存儲器地址交換控制模塊還用于在接收到第一讀取請求時，從所述隨機存取存儲器讀取與所述第一讀取請求對應的程序數據。

可選的，所述存儲器地址交換控制模塊還用于在接收到第一寫入請求時，將所述程序數據寫入到所述隨機存取存儲器和所述第二閃存存儲器中。

可選的，所述存儲器地址交換控制模塊還用于在接收到第二讀取請求時，從所述隨機存取存儲器讀取與所述第二讀取請求對應的程序數據。