[發明專利]一種干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法

有效

• 申請號: 201510933644.0
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN106882792B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 張燕輝;于廣輝;葛曉明;張浩然;陳志鎣;隋妍萍;鄧榮軒
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: C01B32/184
• 分類號: C01B32/184
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法，其特征在于，包括步驟：

步驟1)，將長有石墨烯的金屬襯底置于目標襯底上，并將所述石墨烯面朝目標襯底，其中，所述金屬襯底熔化后與石墨烯不浸潤，所述金屬襯底的材料包括銅、鎳、鈷及釕的一種或兩種以上的合金；

步驟2)，將放置好的長有石墨烯的金屬襯底和目標襯底放入反應器中，在保護氣氛下，升溫至金屬襯底熔化溫度或以上，使所述金屬襯底熔化收縮成金屬小球，所述石墨烯附著于目標襯底上，保溫預設時間后在保護氣氛下降至室溫，以將所述石墨烯轉移至目標襯底上，將目標襯底傾斜一定角度放置，以使熔化后的金屬小球在自身重力的作用下滾到石墨烯以外的區域，或者通過用機械外力或者化學腐蝕的方法去除所述金屬小球。

2.根據權利要求1所述的干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法，其特征在于：所述的石墨烯包括石墨烯分離晶疇及石墨烯連續膜的一種或兩種的組合。

3.根據權利要求1所述的干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法，其特征在于：所述目標襯底的熔點高于對應的金屬襯底的熔點，包括表面具有二氧化硅的硅襯底、硅襯底及藍寶石襯底中的一種。

4.根據權利要求1所述的干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法，其特征在于：步驟1)中，若所述金屬襯底背面也具有石墨烯，則先將背面的石墨烯用氧等離子刻蝕方法將其除去。

5.根據權利要求1所述的干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法，其特征在于：所述目標襯底的放置方向可以是水平到垂直的任意角度。

6.根據權利要求1所述的干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法，其特征在于：所述保護氣氛為避免石墨烯在高溫環境中發生刻蝕的一種氣體或者兩種以上氣體的混合。

7.根據權利要求1所述的干法轉移金屬襯底上石墨烯的方法，其特征在于：步驟2)中的升溫和降溫速度為0.01～1000攝氏度/分鐘。