[發(fā)明專利]一種鍍膜膜厚監(jiān)測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510930393.0
• 申請(qǐng)日: 2015-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105486215A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周東平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G01B7/06
• 分類號(hào): G01B7/06
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種鍍膜膜厚監(jiān)測(cè)方法，用于精確地測(cè)量厚膜膜厚。

背景技術(shù)

光學(xué)薄膜技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而膜厚是光學(xué)薄膜最重要的指標(biāo)之一。 膜厚對(duì)薄膜的光學(xué)、電學(xué)和力學(xué)性能都有決定性的影響。因此，在生產(chǎn)過(guò)程 中能夠準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)膜厚顯得非常重要。而隨著對(duì)薄膜要求的提高，復(fù)雜膜系的 各層薄膜膜厚精度要求也越來(lái)越高，復(fù)雜膜系的厚度通常也較厚。

通常使用石英晶振對(duì)膜厚進(jìn)行監(jiān)測(cè)，晶振和產(chǎn)品被一起鍍膜，通過(guò)探測(cè) 晶振的頻率變化計(jì)算得到膜厚。石英晶振上的膜厚越大，膜厚監(jiān)測(cè)靈敏度越 差，降低了產(chǎn)品的良率。對(duì)于厚膜的監(jiān)控，現(xiàn)有技術(shù)中有一些改進(jìn)的方法， 即在鍍膜腔內(nèi)不同位置增加一個(gè)晶振探頭進(jìn)行測(cè)量，第一個(gè)晶振在被鍍膜時(shí)， 第二個(gè)被遮擋，當(dāng)厚度到達(dá)一定程度后，第二個(gè)晶振被鍍膜并開(kāi)始監(jiān)測(cè)。對(duì) 于復(fù)雜膜系的蒸鍍，其總厚度大，而厚度精度要求還高，在不同位置增加探 頭進(jìn)行厚度監(jiān)測(cè)雖然改善了單探頭不靈敏的缺點(diǎn)，但由于均勻性的問(wèn)題，不 同位置的鍍膜厚度并不完全相同，不同位置的監(jiān)測(cè)連續(xù)性較差，從而會(huì)影響 膜系的精度，降低了產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、靈敏性 高的鍍膜膜厚監(jiān)測(cè)方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種鍍膜膜厚監(jiān)測(cè)方法，包括：在擋板1上設(shè)有通孔2，第一晶振3與 第二晶振4的監(jiān)測(cè)位置相同，通孔處設(shè)為監(jiān)測(cè)位置，第一晶振在監(jiān)測(cè)位置被 鍍膜時(shí)，遮擋第二晶振；當(dāng)?shù)谝痪д癖诲兡さ揭欢ǖ暮穸群螅谝痪д癖灰? 離而第二晶振被移到監(jiān)測(cè)位置，對(duì)膜厚進(jìn)行連續(xù)監(jiān)測(cè)。

優(yōu)選的是，所述的膜厚監(jiān)測(cè)裝置，其中，所述第一晶振位于第二晶振左 側(cè)，當(dāng)?shù)谝痪д癖诲兡さ揭欢ê穸群螅瑑蓚€(gè)晶振被同時(shí)移向左側(cè)，第二晶振 在通孔處被鍍膜，開(kāi)始對(duì)膜厚進(jìn)行監(jiān)測(cè)，而第一晶振被遮擋并停止工作。

優(yōu)選的是，所述的膜厚監(jiān)測(cè)裝置，其中，所述通孔尺寸與所述第一晶振 或第二晶振相對(duì)應(yīng)。

本發(fā)明的有益效果：本案提供了一種新的鍍膜時(shí)膜厚監(jiān)測(cè)方法，其監(jiān)測(cè) 裝置的探頭包含兩個(gè)晶振，兩個(gè)晶振的監(jiān)測(cè)位置相同，本案可精確地監(jiān)控厚 膜層的厚度，從而保證準(zhǔn)確完成復(fù)雜膜系的鍍膜，提高了產(chǎn)品的良率；同時(shí) 可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜膜系厚度的準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)，而且成本低，方法簡(jiǎn)單。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例所述的鍍膜膜厚監(jiān)測(cè)方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所述的鍍膜膜厚監(jiān)測(cè)方法中當(dāng)?shù)诙д裎挥跈z測(cè) 位置時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，1-擋板，2-通孔，3-第一晶振，4-第二晶振。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照 說(shuō)明書(shū)文字能夠據(jù)以實(shí)施。

一種鍍膜膜厚監(jiān)測(cè)方法，包括：擋板1，設(shè)于擋板上的通孔2，第一晶振 3，第二晶振4，其中，第一晶振與第二晶振的監(jiān)測(cè)位置相同，通孔處為監(jiān)測(cè) 位置，第一晶振在監(jiān)測(cè)位置被鍍膜時(shí)，遮擋第二晶振；當(dāng)?shù)谝痪д癖诲兡さ? 一定的厚度后，第一晶振被移離而第二晶振被移到監(jiān)測(cè)位置，對(duì)膜厚進(jìn)行連 續(xù)監(jiān)測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)了在同一位置的連續(xù)監(jiān)測(cè)。本發(fā)明提供的一種新的晶振探 測(cè)結(jié)構(gòu)，探頭包含兩個(gè)晶振，兩個(gè)晶振的監(jiān)測(cè)位置相同。首先，本發(fā)明可以 精確地監(jiān)控厚膜層的厚度，從而保證準(zhǔn)確完成復(fù)雜膜系的鍍膜，提高了產(chǎn)品 的良率。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜膜系厚度的準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)，而且成本低，方法簡(jiǎn)單。

進(jìn)一步的，所述第一晶振位于第二晶振左側(cè)，當(dāng)?shù)谝痪д癖诲兡さ揭欢? 厚度后，兩個(gè)晶振被同時(shí)移向左側(cè)，第二晶振在通孔處被鍍膜，開(kāi)始對(duì)膜厚 進(jìn)行監(jiān)測(cè)，而第一晶振被遮擋并停止工作。

進(jìn)一步的，所述通孔尺寸與所述第一晶振或第二晶振相對(duì)應(yīng)，具體為使 得整個(gè)第一晶振或第二晶振被鍍膜。

如圖1-2所示，利用擋板的通孔作為監(jiān)測(cè)位置，通孔尺寸要保證整個(gè)晶 振片都可被鍍膜。首先，第一晶振在通孔處被鍍膜，對(duì)膜厚進(jìn)行監(jiān)測(cè)，第二 晶振被遮擋住并不工作；當(dāng)?shù)谝痪д癖诲兡さ揭欢ê穸群螅瑑蓚€(gè)晶振被同時(shí) 移向左側(cè)，第二晶振在通孔處被鍍膜，開(kāi)始對(duì)膜厚進(jìn)行監(jiān)測(cè)，而第一晶振被 遮擋并停止工作。

盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開(kāi)如上，但其并不僅僅限于說(shuō)明書(shū)和實(shí)施方 式中所列運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對(duì)于熟悉本領(lǐng) 域的人員而言，可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范 圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的圖 例。