[發(fā)明專利]低溫多晶硅TFT背板的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510925560.2
• 申請日: 2015-12-14
• 公開（公告）號: CN105575974B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白丹;徐源竣
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(1)，依次在所述基板(1)上沉積緩沖層(2)、與非晶硅層(3’)；

步驟2、在所述非晶硅層(3’)上涂布一層光阻，并對該層光阻進行黃光制程，在非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域上形成光阻圖案(4)；

步驟3、以所述光阻圖案(4)為遮蔽層，向非晶硅層(3’)植入高劑量的摻雜離子，在非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域內(nèi)形成多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊(31)；

步驟4、先去除所述光阻圖案(4)，再進行快速熱退火處理，使非晶硅層(3’)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?3)，其中非晶硅層(3’)對應(yīng)欲形成TFT溝道區(qū)的區(qū)域以所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊(31)為晶核進行側(cè)向結(jié)晶；

步驟5、對所述多晶層(3)進行圖案化處理，形成第一多晶硅段(33)、第二多晶硅段(35)，所述第一多晶硅段(33)包括所述多個呈陣列式排布、相互間隔、且形狀規(guī)則的離子重摻雜區(qū)塊(31)；

步驟6、在所述第一多晶硅段(33)、第二多晶硅段(35)、與緩沖層(2)上沉積柵極絕緣層(5)；

步驟7、在所述柵極絕緣層(5)上沉積并圖案化第一金屬層，形成柵極(61)、與金屬電極(62)；所述金屬電極(62)與第二多晶硅段(35)構(gòu)成存儲電容(C)；

步驟8、在所述柵極(61)、金屬電極(62)、與柵極絕緣層(5)上沉積并圖案化蝕刻阻擋層(7)，形成分別暴露出所述第一多晶硅段(33)兩端部分表面的第一過孔(71)、與第二過孔(72)；

步驟9、在所述蝕刻阻擋層(7)上沉積并圖案化第二金屬層，形成源極(81)、與漏極(82)，所述源極(81)、與漏極(82)分別經(jīng)由第一過孔(71)、與第二過孔(72)接觸第一多晶硅段(33)；

所述源極(81)、漏極(82)、柵極(61)、與第一多晶硅段(33)構(gòu)成TFT(T)；

所述光阻圖案(4)包括多條沿水平方向平行設(shè)置且相互間隔的橫部(41)、及多條沿豎直方向平行設(shè)置且相互間隔的豎部(42)，所述多條橫部(41)與多條豎部(42)垂直交錯出多個呈陣列式排布、相互間隔、呈矩形的鏤空部(43)。

2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，還包括步驟10、在所述源極(81)、漏極(82)、與蝕刻阻擋層(7)上依次制作平坦層(9)、像素電極層(10)、像素定義層(11)、及光阻間隙物層(12)；所述像素電極(12)經(jīng)由貫穿所述平坦層(9)的第三過孔(91)接觸所述漏極(82)。

3.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中高劑量的摻雜離子為硼離子，所述離子重摻雜區(qū)塊(31)為P型重摻雜區(qū)塊，所述TFT(T)為P型TFT。

4.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中高劑量的摻雜離子為磷離子，所述離子重摻雜區(qū)塊(31)為N型重摻雜區(qū)塊，所述TFT(T)為N型TFT。

5.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述離子重摻雜區(qū)塊(31)的形狀為矩形。

6.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述緩沖層(2)與蝕刻阻擋層(7)的材料均為SiOx、SiNx、或二者的組合。

7.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層與第二金屬層的材料均為Mo、Ti、Al、Cu中的一種或幾種的堆棧組合。

8.如權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅TFT背板的制作方法，其特征在于，所述像素電極層(10)的材料為ITO/Ag/ITO。