[發(fā)明專利]一種功率模塊及其封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510923764.2
• 申請(qǐng)日: 2015-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN105405820B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳振興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京晶川電子技術(shù)發(fā)展有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L21/607;B23K20/10
• 代理公司: 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 孔凡紅

1.一種功率模塊，包括：模塊外殼主體、承載有模塊電路的覆銅電路板，其特征在于，還包括：貫穿固定于所述模塊外殼主體的金屬電極；所述模塊外殼主體為熱塑性樹脂材料，以及所述金屬電極是通過注塑冷凝工藝貫穿固定于所述模塊外殼主體；

其中，所述金屬電極包括：延伸于所述功率模塊外的電極接觸部，以及在所述功率模塊內(nèi)延伸至覆銅電路板的電極焊接部；

所述電極焊接部的金屬通過超聲波焊接技術(shù)與所述覆銅電路板的銅箔焊接為一體；

所述功率模塊進(jìn)一步包括：上蓋板和下蓋板；其中，所述上蓋板為一帶有卡槽的圓弧方形樹脂蓋板，覆蓋下蓋板內(nèi)部所有外露電極及內(nèi)部電路，所述模塊外殼主體設(shè)置于所述上、下蓋板之間；

所述上蓋板上設(shè)置有功率輸入端或功率輸出端的上部；

所述下蓋板內(nèi)設(shè)置有功率輸入端或功率輸出端的下部；

所述功率輸入端的上部的電極孔與該功率輸入端的下部的電極孔貫通；

所述功率輸出端的上部的電極孔與該率輸出端的下部的電極孔貫通；

所述電極孔作為所述金屬電極的延伸于所述功率模塊外的電極接觸部；

所述下蓋板內(nèi)部沿所述覆銅電路板的兩個(gè)長(zhǎng)邊，設(shè)計(jì)有多個(gè)長(zhǎng)方形凹槽；

所述功率輸入端或所述功率輸出端的下部結(jié)構(gòu)由一個(gè)斜角切面的中空方形柱體包圍一個(gè)圓柱體結(jié)構(gòu)組成，所述圓柱體內(nèi)為中空設(shè)計(jì)，內(nèi)部有六角凹槽，內(nèi)部放置金屬螺母。

2.如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述金屬電極具體為功率電極，或控制電極。

3.如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述電極焊接部具體為踏腳形狀，包括：與所述覆銅電路板相平行的金屬片，以及從所述金屬片連接至電極接觸部的支撐金屬體。

4.如權(quán)利要求3所述的功率模塊，其特征在于，所述金屬片的形狀具體為方形、圓形或圓頂方形。

5.如權(quán)利要求4所述的功率模塊，其特征在于，所述金屬片的面積為4cm²-16cm²。

6.如權(quán)利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述功率輸入端為內(nèi)嵌雙孔的金屬電極，所述功率輸出端為內(nèi)嵌單孔的金屬電極。

7.如權(quán)利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述覆銅電路板安置于所述下蓋板內(nèi)。

8.如權(quán)利要求7所述的功率模塊，其特征在于，所述下蓋板外側(cè)，位于覆銅電路板的兩邊設(shè)計(jì)有三個(gè)非對(duì)稱半圓形凹槽的作業(yè)孔。

9.如權(quán)利要求1-8任一所述的功率模塊，其特征在于，所述金屬電極材料具體為：銅、鍍鎳銅或鍍銀銅；以及所述銅箔材料具體為銅。

10.如權(quán)利要求1-8任一所述的功率模塊，其特征在于，所述功率模塊具體為MOSFET模塊、IGBT模塊或二極管模塊。