[發明專利]壓環、預清洗腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201510922012.4
• 申請日: 2015-12-14
• 公開（公告）號: CN106876315B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 徐奎;李冬冬;陳鵬
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 左文;段志慧

1.一種壓環，其特征在于，應用在預清洗腔室中，在所述預清洗腔室內設置有基座，所述基座包括用于承載晶片的承載面；所述壓環用于利用自身重力壓住晶片上表面的邊緣區域，從而實現對所述晶片的固定；并且，通過向所述承載面與所述晶片的下表面之間輸送冷卻氣體，來冷卻所述晶片；

所述壓環包括負重體和絕緣體，其中，所述負重體采用金屬制作，以在輸送冷卻氣體時，使所述壓環的整體重量足以承受所述承載面與所述晶片下表面之間的氣壓；所述絕緣體包覆所述負重體，以避免等離子體轟擊所述負重體；

所述壓環還包括沿其周向間隔分布的多個壓爪，所述多個壓爪疊置在所述晶片的邊緣區域，所述壓爪的內徑自下而上逐漸增大。

2.根據權利要求1所述的壓環，其特征在于，所述絕緣體為環體，所述負重體嵌在所述絕緣體內。

3.根據權利要求2所述的壓環，其特征在于，所述負重體為環體，且與所述絕緣體同心設置；或者，

所述負重體由多個塊狀體組成，且沿所述絕緣體的周向間隔分布。

4.根據權利要求1所述的壓環，其特征在于，所述負重體為環體，所述絕緣體為殼體，且嵌套在所述負重體的外環表面和上表面；

在所述負重體的內環表面上噴涂絕緣層。

5.根據權利要求1所述的壓環，其特征在于，所述負重體為環體，所述絕緣體為分別噴涂在所述負重體的外環表面、上表面和內環表面上的絕緣層。

6.一種預清洗腔室，包括設置在其內的基座，所述基座包括用于承載晶片的承載面，其特征在于，還包括壓環，所述壓環采用權利要求1-5任意一項所述的壓環，用于利用自身重力壓住晶片上表面的邊緣區域，從而實現對所述晶片的固定；并且，通過向所述承載面與所述晶片的下表面之間輸送冷卻氣體，來冷卻所述晶片。

7.根據權利要求6所述的預清洗腔室，其特征在于，所述預清洗腔室還包括絕緣環，所述絕緣環環繞在所述基座的邊緣處，用以遮擋所述基座的外周壁與所述壓環的內環面之間的間隙；

所述絕緣環的上表面不高于所述承載面。

8.根據權利要求6所述的預清洗腔室，其特征在于，所述預清洗腔室還包括冷卻氣路，所述冷卻氣路設置在所述基座內，用于向所述承載面與所述晶片的下表面之間輸送冷卻氣體。

9.一種半導體加工設備，包括預清洗腔室，在所述預清洗腔室的頂部設置有線圈，通過向所述線圈加載射頻功率，來激發所述預清洗腔室內的反應氣體形成等離子體，其特征在于，所述預清洗腔室采用權利要求6-8任意一項所述的預清洗腔室，并且，通過向所述基座加載射頻偏壓，而使所述等離子體朝向所述晶片運動。

10.根據權利要求9所述的半導體加工設備，其特征在于，所述半導體加工設備包括物理氣相沉積設備。