[發明專利]發光二極管及其制作方法

在審

• 申請號: 201510921693.2
• 申請日: 2015-12-14
• 公開（公告）號: CN105355743A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發明（設計）人: 張潔;劉建明;朱學亮;徐宸科
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.發光二極管，包括：

絕緣襯底，具有相對的上、下表面；

導電掩膜層，設置于所述絕緣襯底上表面，具有曝露圖形以裸露出所述襯底的部分上表面；

外延疊層，通過外延生長被設置于所述導電掩膜層上，從下至上依次包含第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層；

電流通道，設置于所述外延疊層，貫穿所述第一類型半導體層，與所述導電掩膜層連接，當向所述外延疊層注入電流時，大部分的電子電流通過該電流通道傳導至所述導電掩膜層，在該導電掩膜層進行橫向擴展后再進入所述外延疊層。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述導電掩膜層的曝露圖形規則排列。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于：所述導電掩膜層的曝露圖形之尺寸0.1~5μm。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述導電掩膜層對所述有源層發射出的光線具有反射作用。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述導電掩膜層由導電金屬材料構成。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述導電掩膜層由導電金屬材料層和介電材料層水平混合排列而成。

7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：

所述外延疊層劃分為第一電極區和發光區，所述電流通道包括第一電流通道和第二電流通道，其中第一電流通道位于所述第一電極區，第二電流通道位于所述發光區；

一第一電極被設置于所述第一類型半導體層表面上，通過所述第一電流通道與所述導電掩膜層形成電性連接；

一第二電極被設置于所述第二型半導體層表面之上；

所述導電掩膜層通過第二電流通道與所述第一類型半導體層形成電性連接，當向第一、第二電極注入電流時，大部分的電子電流通過所述第一電流通道傳導至所述導電掩膜層，在該導電掩膜層進行橫向擴展后沿第二電流通道流入所述第一類型半導體層。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第二電流通道貫穿第一類型半導體層、有源層、第二類型半導體層，與所述第一類型半導體層形成歐姆接觸，與所述有源層、第二類型半導體層絕緣。

9.根據權利要求8所述的發光二極管，其特征在于：所述第二電流通道位于所述有源層、第二類型半導體層的部分作為導光通道。

10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：

所述外延疊層劃分為第一電極區和發光區，所述電流通道位于所述第一電極區；

一第一電極被設置于所述第一類型半導體層表面上，通過所述電流通道與所述導電掩膜層形成電性連接；

一第二電極被設置于所述第二型半導體層表面之上；

當向第一、第二電極注入電流時，大部分的電子電流通過所述電流通道傳導至所述導電掩膜層，在所述導電掩膜層進行橫向擴展后流入第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層。

11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述導電掩膜層的表面上設有一絕緣保護層。

12.發光二極管的制作方法，包括步驟：

1）提供一絕緣襯底，其具有相對的上、下表面；

2）在所述絕緣襯底的上表面上制作導電掩膜層，其具有曝露圖形以裸露出所述襯底的部分上表面；

3）在所述導電掩膜層上沉積外延疊層，從下至上依次包含第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層；

4）在所述外延疊層制作電流通道，其貫穿所述第一類型半導體層，與所述導電掩膜層連接；

當向所述外延疊層注入電流時，大分部的電子電流通過該電流通道傳導至所述導電掩膜層，在該導電掩膜層進行橫向擴展后再進入所述外延疊層。

13.根據權利要求12所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟4）中還包括：將所述外延疊層劃分為第一電極區和發光區，所述電流通道位于所述第一電極區。

14.根據權利要求12所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟4）中還包括：將所述外延疊層劃分為第一電極區和發光區，所述電流通包括第一電流通道和第二電流通道，其中第一電流通道位于所述第一電極區，第二電流通道位于所述發光區；在所述第一類型半導體層表面上制作第一電極，其通過所述第一電流通道與所述導電掩膜層形成電性連接；在第二型半導體層表面之上制作第二電極；所述導電掩膜層通過所述第二通道與所述第一類型半導體層形成電性連接，當向第一、第二電極注入電流時，大部分的電子電流通過所述第一電流通道傳導至所述導電掩膜層，在所述導電掩膜層進行橫向擴展后沿第二電流通道流入所述第一類型半導體層。