[發(fā)明專利]一種基于自適應(yīng)回歸核函數(shù)的污水處理過(guò)程能耗預(yù)測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510921369.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-12-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105549388A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓紅桂;張璐;盧微;喬俊飛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G05B13/04 | 分類號(hào): | G05B13/04 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 自適應(yīng) 回歸 函數(shù) 污水處理 過(guò)程 能耗 預(yù)測(cè) 方法 | ||
1.一種基于自適應(yīng)回歸核函數(shù)的污水處理過(guò)程能耗預(yù)測(cè)方法,其特征 在于,包括以下步驟:
(1)確定能耗EC模型的輸入與輸出變量:選取與能耗EC相關(guān)的內(nèi)部 變量為能耗EC模型的輸入:硝態(tài)氮濃度SNO,溶解氧濃度SO,氨氮濃度 SNH,混合懸浮物固體濃度MLSS;能耗EC模型的輸出為能耗EC值;
(2)設(shè)計(jì)用于污水處理過(guò)程能耗EC的自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型,將輸入 與輸出變量之間的關(guān)系通過(guò)自適應(yīng)回歸核函數(shù)表達(dá),該自適應(yīng)回歸模型的 計(jì)算功能是:
y(t)=W(t)·K(t)(1)
其中,y(t)表示t時(shí)刻自適應(yīng)回歸模型的輸出;W(t)=[w1(t),w2(t),…, wN(t)]表示t時(shí)刻核函數(shù)連接權(quán)值向量,wn(t)表示t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)連接 權(quán)值,n=1,2,…,N;N代表核函數(shù)個(gè)數(shù),K(t)=[K1(t),K2(t),...,KN(t)]T表示核函數(shù)向量,T表示轉(zhuǎn)置,Kn(t)表示t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)的值,其計(jì)算 功能是:
其中,x(t)=[x1(t),x2(t),x3(t),x4(t)]代表t時(shí)刻自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型 的輸入,x1(t)表示t時(shí)刻硝態(tài)氮濃度SNO,x2(t)表示t時(shí)刻溶解氧濃度SO, x3(t)表示t時(shí)刻氨氮濃度SNH,x4(t)表示t時(shí)刻混合懸浮物固體濃度MLSS; C(t)=[c1(t),c2(t),...,cN(t)]T表示t時(shí)刻核函數(shù)中心矩陣,cn(t)=[cn1(t),cn2(t), cn3(t),cn4(t)]表示t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)的中心,n=1,2,…,N;b(t)=[b1(t), b2(t),...,bN(t)]T表示t時(shí)刻核函數(shù)的寬度向量,bn(t)表示t時(shí)刻第n個(gè)核函 數(shù)的寬度值;
(3)訓(xùn)練自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型,具體為:
①給定自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的核函數(shù)個(gè)數(shù)為N,自適應(yīng)回歸核函數(shù) 模型的輸入為x(1),x(2),…,x(t),…,x(T),對(duì)應(yīng)的期望輸出為yd(1),yd(2),…, yd(t),…,yd(T),T表示自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型輸入的訓(xùn)練樣本數(shù),期望誤 差值設(shè)為Ed,Ed∈(0,0.01),初始中心值cn(1)中每個(gè)變量的賦值區(qū)間為[-2,2], 初始中心寬度bn(1)的賦值區(qū)間為[0,1],n=1,2,…,N;初始連接權(quán)值向量 W(1)中每個(gè)變量的賦值區(qū)間為[-1,1];
②設(shè)置學(xué)習(xí)步數(shù)s=1;
③t=s,計(jì)算自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的誤差平方和E(t):
其中,E(t)表示t時(shí)刻自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的誤差平方和,e(t)表示t 時(shí)刻自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型輸出與期望輸出之間的誤差:
e(t)=y(tǒng)(t)-yd(t)(4)
其中,y(t)為t時(shí)刻自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的輸出;yd(t)為t時(shí)刻自適應(yīng) 回歸核函數(shù)模型的期望輸出;
④調(diào)整自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的參數(shù);
wn(t+1)=wn(t)+Δwn(t)(5)
cn(t+1)=cn(t)+Δcn(t)(6)
bn(t+1)=bn(t)+Δbn(t)(7)
其中,Δwn(t)表示t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)連接權(quán)值向量的調(diào)整量,Δcn(t)表示 t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)中心矩陣的調(diào)整量,Δbn(t)表示t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)寬度向 量的調(diào)整量,n=1,2,…,N;其計(jì)算為:
其中,η1∈(0,0.1)表示核函數(shù)連接權(quán)值的學(xué)習(xí)率,η2∈(0,0.1)表示核函 數(shù)中心的學(xué)習(xí)率,η3∈(0,0.1)表示核函數(shù)寬度的學(xué)習(xí)率,表示t時(shí)刻第 n個(gè)核函數(shù)連接權(quán)值的偏量,表示t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)中心的偏量,表示t時(shí)刻第n個(gè)核函數(shù)寬度的偏量;其計(jì)算為
其中n=1,2,…,N;
⑤學(xué)習(xí)步數(shù)s增加1,如果步數(shù)s<T,則轉(zhuǎn)向步驟③進(jìn)行繼續(xù)訓(xùn)練,如 果s=T轉(zhuǎn)向步驟⑥;
⑥根據(jù)公式(3)計(jì)算自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的性能,如果E(t)≥Ed,則 轉(zhuǎn)向步驟②進(jìn)行繼續(xù)訓(xùn)練,如果E(t)<Ed,則停止調(diào)整;
(4)將測(cè)試樣本數(shù)據(jù)作為訓(xùn)練后的自適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的輸入,自 適應(yīng)回歸核函數(shù)模型的輸出即為污水處理過(guò)程能耗EC的預(yù)測(cè)值。
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