[發(fā)明專利]一種金剛石微透鏡陣列及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510920190.3 | 申請(qǐng)日： | 2015-12-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105372726A | 公開（公告）日： | 2016-03-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張彥峰;李蕓霄;陳鈺杰;王易;劉林;余思遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中山大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G02B3/00 | 分類號(hào)： | G02B3/00 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人： | 林麗明 |
| 地址： | 510275 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金剛石 透鏡 陣列 及其 制備 方法 | ||
1.一種金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
a）在金剛石襯底上通過轉(zhuǎn)移或生長(zhǎng)的方法覆蓋一層硬掩膜；
b）在硬掩膜上涂覆一層光刻膠；
c）使用三維光刻膠曝光法或熱熔法產(chǎn)生光刻膠的微透鏡陣列；
d）根據(jù)所需制備的微透鏡高度與直徑的比值，分別確定對(duì)硬掩膜和金剛石襯底進(jìn)行等離子體刻蝕的等離子體刻蝕參數(shù)，然后按照確定的等離子體刻蝕參數(shù)對(duì)硬掩膜層和金剛石襯底進(jìn)行等離子體刻蝕，得到金剛石微透鏡陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述在硬掩膜上覆蓋一層光刻膠后，先對(duì)光刻膠進(jìn)行烘烤，然后進(jìn)行步驟c）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述等離子體刻蝕參數(shù)包括等離子體刻蝕的氣體組分、流量、氣壓和功率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的金剛石微透鏡陣列制備方法，其特征在于：所述硬掩膜為硅、氧化硅或者氮化硅中任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金剛石微透鏡制備方法，其特征在于：所述金剛石襯底為單晶金剛石、多晶金剛石、非晶金剛石、微米晶金剛石和納米晶金剛石中任一種。
6.一種金剛石微透鏡陣列，其特征在于：使用權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的制備方法制備而得。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金剛石微透鏡陣列，其特征在于：所述金剛石微透鏡陣列的微透鏡直徑在1微米至1毫米之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的金剛石微透鏡陣列，其特征在于：所述金剛石微透鏡陣列的微透鏡的高度為直徑長(zhǎng)度的1%到400%。
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