[發(fā)明專利]一種柔性導(dǎo)電線，及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510917796.1
• 申請日: 2015-12-10
• 公開（公告）號: CN106876261B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁波;劉玉成;高勝;趙長征
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/288
• 分類號: H01L21/288;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗;尹學(xué)清

1.一種柔性導(dǎo)電線的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

S11：制備微球分散液

將微球加到水里或有機溶液中，再加入表面活性劑后通過超聲振蕩將微球均勻分布溶液中形成微球分散液；

S12：制備微球模板陣列

將微球分散液涂覆在基板上，干燥去除溶劑，得到微球模板陣列；

S13：沉積金屬線

向微球模板上沉積金屬層，所述微球上表面及微球之間的縫隙內(nèi)填充的金屬層形成具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬膜；

S14、形成柔性導(dǎo)電線

去除基板和微球后，再將具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬膜刻蝕成預(yù)定形狀的柔性導(dǎo)電線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性導(dǎo)電線的制備方法，其特征在于，所述微球的直徑為12nm-3um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性導(dǎo)電線的制備方法，其特征在于，所述微球的濃度為0.01-0.15wt％，所述微球為聚苯乙烯微球或二氧化硅微球。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柔性導(dǎo)電線的制備方法，其特征在于，所述步驟S14為：

在溶液中超聲振蕩或者高溫退火，去掉微球，再進行真空退火處理，得到具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬膜，再將具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬膜刻蝕成預(yù)定形狀的柔性導(dǎo)電線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述柔性導(dǎo)電線的制備方法，其特征在于，所述步驟S13中的金屬層為銅、鋁、鉬或鈦中的一種或其中幾種的組合。

6.一種權(quán)利要求1-5任一所述柔性導(dǎo)電線的制備方法制備得到的柔性導(dǎo)電線。

7.一種柔性背板，包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的TFT，其特征在于，所述TFT的柵極層和/或源/漏電極層為權(quán)利要求1-5任一所述的柔性導(dǎo)電線。

8.一種柔性背板的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

S21、制備柵極層

按照權(quán)利要求1-5任一所述的方法制備柔性導(dǎo)電線作為柵極層；

S22、制備柵極絕緣層、多晶硅半導(dǎo)體層和層間絕緣層

在步驟S21制備的柵極層上沉積柵極絕緣層、多晶硅半導(dǎo)體層和層間絕緣層，并刻蝕層間絕緣層形成接觸孔使所述多晶硅半導(dǎo)體層裸露；

S22、制備源漏極層

按照權(quán)利要求1-5任一所述的方法在所述步驟S21刻蝕形成的接觸孔制備柔性導(dǎo)電線作為源漏極。

9.一種柔性背板的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

S31、制備有源層和柵極絕緣層

在柔性襯底上沉積有源層和柵極絕緣層；

S32、制備柵極層

按照權(quán)利要求1-5任一所述的方法在所述柵極絕緣層上制備柔性導(dǎo)電線作為柵極層；

S33、制備層間絕緣層

在所述步驟S32基礎(chǔ)上沉積層間絕緣層，并刻蝕所述層間絕緣層和柵極絕緣層形成接觸孔使所述有源層裸露；

S34、制備源漏極層

按照權(quán)利要求1-5任一所述的方法在所述步驟S34刻蝕形成的接觸孔制備柔性導(dǎo)電線作為源漏極。