[發明專利]折疊外腔超窄線寬半導體激光器

有效

• 申請號: 201510916114.5
• 申請日: 2015-12-10
• 公開（公告）號: CN105406356B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 陳泳屹;秦莉;寧永強;王立軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01S5/14
• 分類號: H01S5/14;H01S5/06
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所(普通合伙) 22210
• 代理人: 李青

1.折疊外腔超窄線寬半導體激光器，其特征在于，該激光器包括：半導體激光器芯片、折疊外腔和整形透鏡；所述半導體激光器芯片與折疊外腔的輸入端對接耦合；半導體激光器芯片和折疊外腔的端面制作腔面膜；整形透鏡位于折疊外腔的輸出端；所述折疊外腔包括：保護性上包層和在半導體芯片襯底上制作的直波導、模式轉換波導、彎曲波導、單波長反射結構；除了輸入端和輸出端的直波導，其余每個直波導的兩端分別通過各自的模式轉換波導與兩個彎曲波導相連，位于輸出端的直波導上制備有單波長反射結構；所述直波導、模式轉換波導、彎曲波導和單波長反射結構的上表面等高，并形成一個通路；所有直波導、模式轉換波導和彎曲波導上覆蓋保護性上包層。

2.根據權利要求1所述的折疊外腔超窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述折疊外腔的材料對激光器的輸出波長的吸收損耗小于0.3dB/cm。

3.根據權利要求1所述的折疊外腔超窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述直波導是脊形波導、條形波導或折射率引導的波導結構。

4.根據權利要求1所述的折疊外腔超窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述彎曲波導的曲線是函數曲線。

5.根據權利要求1或4所述的折疊外腔超窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述彎曲波導的激光能量損耗小于0.3dB。

6.根據權利要求1所述的折疊外腔超窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述單波長反射結構是一階光柵、高階光柵、相移光柵、復合光柵、多周期光柵、光柵波導復合結構、光子晶體結構或光學槽結構，能夠對單一波長進行反射，其單波長反射帶寬不大于折疊外腔超窄線寬半導體激光器的縱模間隔。

7.根據權利要求1所述的折疊外腔超窄線寬半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器的非出光腔面膜是高反射膜，出光腔面膜以及折疊外腔的兩端是增透膜。