[發明專利]抗輻射加固的靜態隨機存取儲存器

在審

• 申請號: 201510915575.0
• 申請日: 2015-12-10
• 公開（公告）號: CN105336362A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 郭靖;朱磊;高金轉;樊劉華;宋瑞佳;樊磊;劉文怡;熊繼軍
• 申請（專利權）人: 中北大學;齊齊哈爾大學
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 岳泉清

1.抗輻射加固的靜態隨機存取儲存器，其特征在于，它包括一號PMOS晶體管P1、二號PMOS晶體管P2、三號PMOS晶體管P3、四號PMOS晶體管P4、存取晶體管、七號PMOS晶體管P7、八號PMOS晶體管P8、一號NMOS晶體管N1、二號NMOS晶體管N2、三號NMOS晶體管N3、四號NMOS晶體管N4、一號位線BLN、二號位線BL和字線WL，

存取晶體管包括五號PMOS晶體管P5和六號PMOS晶體管P6，

六號PMOS晶體管P6的漏極連接在二號位線BL上，六號PMOS晶體管P6的源極同時連接四號PMOS晶體管P4的漏極、二號PMOS晶體管P2的柵極、二號NMOS晶體管N2的柵極、三號PMOS晶體管P3的柵極和八號PMOS晶體管P8的源極，

供電電源VDD同時連接四號PMOS晶體管P4的源極、二號PMOS晶體管P2的源極、三號PMOS晶體管P3的源極和一號PMOS晶體管P1的源極，

四號PMOS晶體管P4的柵極同時連接四號NMOS晶體管N4的柵極、二號PMOS晶體管P2的漏極、一號PMOS晶體管P1的柵極、五號PMOS晶體管P5的源極和七號PMOS晶體管P7的源極，

五號PMOS晶體管P5的柵極和六號PMOS晶體管P6的柵極均連接在字線WL上，五號PMOS晶體管P5的漏極連接在一號位線BLN上，

八號PMOS晶體管P8的漏極連接四號NMOS晶體管N4的漏極，電源地同時連接四號NMOS晶體管N4的源極、三號NMOS晶體管N3的源極、一號NMOS晶體管N1的源極和二號NMOS晶體管N2的源極，

二號NMOS晶體管N2的漏極連接七號PMOS晶體管P7的漏極，

七號PMOS晶體管P7的柵極同時連接一號NMOS晶體管N1的柵極、三號PMOS晶體管P3的源極和三號NMOS晶體管N3的漏極，七號PMOS晶體管P7的柵極、三號NMOS晶體管N3的漏極和三號PMOS晶體管P3的漏極之間的線路節點為節點S0，

八號PMOS晶體管P8的柵極同時連接三號NMOS晶體管N3的柵極、一號PMOS晶體管P1的漏極和一號NMOS晶體管N1的漏極，八號PMOS晶體管P8的柵極、一號PMOS晶體管P1的漏極和一號NMOS晶體管N1的漏極之間的線路節點為節點S1。

2.根據權利要求1所述的抗輻射加固的靜態隨機存取儲存器，其特征在于，該靜態隨機存取儲存器在存操作狀態下，字線WL為高電平時，七號PMOS晶體管P7、四號PMOS晶體管P4、一號PMOS晶體管P1、二號NMOS晶體管N2和三號NMOS晶體管N3均處于開態，二號PMOS晶體管P2、三號PMOS晶體管P3、五號PMOS晶體管P5和六號PMOS晶體管P6、一號NMOS晶體管N1和四號NMOS晶體管N4均處于關態。

3.根據權利要求2所述的抗輻射加固的靜態隨機存取儲存器，其特征在于，該靜態隨機存取儲存器在讀操作狀態下，一號位線BLN和二號位線BL被預充電到供電電源VDD，當字線WL為低電平時，六號PMOS晶體管P6的漏極、連接四號PMOS晶體管P4的漏極和二號PMOS晶體管P2的柵極之間線路為節點Q，節點Q保持原來的高電平，二號PMOS晶體管P2的源極、五號PMOS晶體管P5的源極和四號PMOS晶體管P4的柵極之間線路為節點QN，節點QN通過七號PMOS晶體管P7和二號NMOS晶體管N2進行放電，采用靈敏放大器根據兩條位線之間的電壓差將存儲器的狀態輸出，完成讀操作。

4.根據權利要求3所述的抗輻射加固的靜態隨機存取儲存器，其特征在于，該靜態隨機存取儲存器在寫操作狀態下，二號位線BL被下拉到低電平，同時一號位線BLN需要被上拉到高電平，當字線WL位低電平時，節點Q被下拉到低電平，節點QN被上拉到高電平，二號PMOS晶體管P2、三號PMOS晶體管P3、八號PMOS晶體管P8、四號NMOS晶體管N4和一號NMOS晶體管N1均被打開，處于開態；

同時七號PMOS晶體管P7、四號PMOS晶體管P4、一號PMOS晶體管P1、二號NMOS晶體管N2和三號NMOS晶體管N3均被關閉，處于關態，當字線WL回到高電平時，節點Q、節點QN、節點S0和節點S1均處于穩定狀態，完成寫操作。