[發(fā)明專利]一種超高頻射頻接收前端電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510915008.5
• 申請(qǐng)日: 2015-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106877893A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鳳軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 張鳳軍
• 主分類號(hào): H04B1/12
• 分類號(hào): H04B1/12;H04B1/10
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述的射頻接收前端電路由新型低噪聲放大器、新型900MHz下混頻器電路構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述超高頻RFID射頻接收機(jī)中的射頻信號(hào)經(jīng)過(guò)天線、TR(傳送/接收)開(kāi)關(guān)和帶通濾波器(BPF)后，通過(guò)低噪聲放大器對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大，再通過(guò)第二級(jí)放大器進(jìn)一步提高增益，然后射頻信號(hào)進(jìn)入混頻器后降到低頻信號(hào)，最后經(jīng)過(guò)濾波器得到想要的基頻信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述的低噪聲放大器主要由M4-M7管組成的共源共柵差分對(duì)管實(shí)現(xiàn)放大。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述低噪聲放大器采用了二階交調(diào)電流注入的方法來(lái)提高線性度。

5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述低噪聲放大器電路中，M1、M2構(gòu)成二階交調(diào)注入結(jié)構(gòu)，M3主要是由有源器件的非線性I-V特性所產(chǎn)生。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述低噪聲放大器電路中，在LNA的輸出端連接有四組開(kāi)關(guān)電容，每組開(kāi)關(guān)電容由一個(gè)電容和一個(gè)NMOS管組成，分別為B0，B1，B2和B3，通過(guò)控制NMOS管使其導(dǎo)通和截止。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述下混頻器電路中，M4和MS組成跨導(dǎo)級(jí)，M6,M7, M8和M9為開(kāi)關(guān)級(jí)，R1和R2為輸出級(jí)，M1和M2為二階交調(diào)注入結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高頻射頻接收前端電路，其特征是：所述下混頻器電路中，MP1,MP2和MP3組成動(dòng)態(tài)電流注入結(jié)構(gòu)，輸入端采用了二階交調(diào)電流注入結(jié)構(gòu)以提高線性度，在輸出端采用動(dòng)態(tài)電流注入結(jié)構(gòu)以降低噪聲。