[發明專利]用于永久連接兩個金屬表面的方法在審
| 申請號: | 201510912165.0 | 申請日: | 2011-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN105513981A | 公開(公告)日: | 2016-04-20 |
| 發明(設計)人: | M.溫普林格;V.德拉戈伊 | 申請(專利權)人: | EV集團E·索爾納有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L25/065 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;劉春元 |
| 地址: | 奧地利圣*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 永久 連接 兩個 金屬表面 方法 | ||
1.用于在第一襯底的第一金屬表面和第二襯底的第二金屬表面之間制造永久的導電連接的方法,具有如下方法步驟:
-通過產生表面缺陷處理第一和第二金屬表面,使得在連接金屬表面時制造至少主要由于在兩個金屬表面的金屬離子和/或金屬原子之間的置換擴散而產生的永久的導電鍵合,
-定向和鍵合第一和第二金屬表面,其中應用熱處理,使得發生第一和第二金屬表面的近表面層的構造的再組織。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在第一和第二金屬表面緊密接觸時,應用所述熱處理,使得所述第一和第二金屬表面塑性變形并且由此也封閉在金屬表面之間的界面中的空洞。
3.根據上述權利要求之一所述的方法,其中,通過產生具有通過注入氣體離子和/或施加金屬納米顆粒產生的表面缺陷的近表面層來實現第一和第二表面的金屬區域的處理。
4.根據上述權利要求之一所述的方法,其中,在處理第一和第二金屬表面期間,附加地進行氫的注入。
5.根據上述權利要求之一所述的方法,其中,所述處理包括優化金屬表面至少之一的表面粗糙度。
6.根據上述權利要求之一所述的方法,其中,通過構造的再組織排除表面缺陷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





