[發明專利]電路和用于測量電流的方法

在審

• 申請號: 201510902142.1
• 申請日: 2015-12-09
• 公開（公告）號: CN105703754A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: M.阿薩姆;A.邁澤;S.蒂勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567;H03K17/687;H03K17/081;G01R19/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;張濤

1.一種電路，被配置為從供應電壓提供電流到負載，包括：

第一晶體管；

第二晶體管；以及

探測電路，被配置為探測通過第二晶體管的電流；

其中，第一晶體管比第二晶體管具有更大的有源區域；

其中，相同的電壓被施加在第一晶體管的控制端子與第一晶體管的第一受控端子之間 并且被施加在第二晶體管的控制端子與第二晶體管的第一受控端子之間；

其中，探測電路被耦合到第二晶體管的第二受控端子；并且

其中，探測電路被耦合到供應電壓。

2.根據權利要求1所述的電路，其中

第一晶體管和第二晶體管兩者都是以下各項中的一個：

金屬氧化物半導體場效應晶體管，其中控制端子是柵極端子，第一受控端子是源極端 子，并且第二受控端子是漏極端子；以及

絕緣柵雙極型晶體管，其中控制端子是柵極端子，第一受控端子是發射極端子，并且第 二受控端子是集電極端子。

3.根據權利要求1所述的電路，其中

第一晶體管和第二晶體管是以下各項中的一個：

集成在共同的襯底上的垂直共同源極的晶體管；其中第一晶體管和第二晶體管具有分 離的漏極電極；以及

集成在共同的襯底上的垂直共同發射極的晶體管；其中第一晶體管和第二晶體管具有 分離的集電極電極。

4.根據權利要求1所述的電路，其中

第一晶體管和第二晶體管是：

源極向下晶體管，在垂直共同源極的晶體管的情況下；以及

發射極向下晶體管，在垂直共同發射極的晶體管的情況下。

5.根據權利要求1所述的電路，進一步包括：

調整器電路，被配置為設置以下各項中的一個：

第一晶體管的第一受控端子和第二晶體管的第一受控端子以具有相同的電勢；以及

第一晶體管的第二受控端子和第二晶體管的第二受控端子以具有相同的電勢。

6.根據權利要求5所述的電路，其中

調整器電路包括運算放大器和第三晶體管；其中

運算放大器的輸出被耦合到第三晶體管的控制端子；

如果調整器電路被配置為設置第一晶體管的第一受控端子和第二晶體管的第一受控 端子以具有相同的電勢，則第三晶體管的第一受控端子被耦合到第二晶體管的第一受控端 子；并且運算放大器的輸入被耦合在第一晶體管的第一受控端子與第二晶體管的第一受控 端子之間；并且

如果調整器電路被配置為設置第一晶體管的第二受控端子和第二晶體管的第二受控 端子以具有相同的電勢，則第三晶體管的第一受控端子被耦合到第二晶體管的第二受控端 子；并且運算放大器的輸入被耦合在第一晶體管的第二受控端子與第二晶體管的第二受控 端子之間。

7.根據權利要求6所述的電路，進一步包括以下各項中的至少一個：

電阻器，被耦合到第三晶體管的第一受控端子；以及

具有電平位移器的第四晶體管，其中第四晶體管的第二受控端子被耦合到第三晶體管 的第二受控端子，并且第四晶體管的控制端子經由電平位移器被耦合到第三晶體管的控制 端子。

8.根據權利要求1所述的電路，其中

探測電路包括被耦合在以下各項中的一個之間的電阻器：

地電勢與第二晶體管的第二受控端子；

供應電勢與第二晶體管的第二受控端子；以及

第一晶體管的第二受控端子與第二晶體管的第二受控端子。

9.根據權利要求8所述的電路，其中

探測電路進一步包括橫跨電阻器被耦合的比較器，其中比較器被連接到供應電壓。

10.根據權利要求8所述的電路，其中

第一晶體管的第二受控端子與第二晶體管的第二受控端子被耦合到共同的供應電勢； 并且

比較器由共同的供應電勢來供電。