[發(fā)明專利]放射線檢測裝置及放射線檢測片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510901200.9 | 申請日： | 2015-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN105700002B | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田透;澁谷吉紀 | 申請（專利權(quán)）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | G01T1/20 | 分類號： | G01T1/20 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 宿小猛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 放射線 檢測 裝置 | ||
1.一種放射線檢測裝置，其特征在于，包括：
閃爍體層，被配置為將放射線轉(zhuǎn)換為光；
光傳感器層，包括被配置為檢測從閃爍體層發(fā)射的光的多個光傳感器；以及
反射層，被配置為反射從閃爍體層發(fā)射的光，
其中閃爍體層被布置在光傳感器層和反射層之間；以及
其中以下條件被滿足：
0.375≤(100-x)/(100-y(％))＜3.75，
其中從反射層側(cè)起的閃爍體層厚度的25％的區(qū)域中的平均轉(zhuǎn)換效率被設(shè)定為100作為基準，x是從光傳感器層側(cè)起的閃爍體層厚度的25％的區(qū)域中的平均轉(zhuǎn)換效率，并且y(％)是反射層的反射率。
2.如權(quán)利要求1所述的放射線檢測裝置，
其中所述閃爍體層的閃爍體基體材料包括碘化銫；
其中所述閃爍體層的發(fā)射中心包括鉈；
其中在從所述反射層側(cè)起的所述閃爍體層厚度的25％的區(qū)域的至少一部分中鉈的濃度是1±0.3mol％；以及
其中在從所述光傳感器層側(cè)起的所述閃爍體層厚度的25％的區(qū)域的至少一部分中鉈的濃度等于或大于0.02mol％并且等于或小于0.3mol％。
3.如權(quán)利要求1所述的放射線檢測裝置，
其中所述閃爍體層的閃爍體基體材料包括碘化銫；以及
其中所述閃爍體層的發(fā)射中心包括銦。
4.如權(quán)利要求1所述的放射線檢測裝置，其中當100-x是轉(zhuǎn)換效率的降低率時，轉(zhuǎn)換效率的降低率等于或小于30％。
5.如權(quán)利要求1所述的放射線檢測裝置，其中所述反射層的反射率等于或大于20％。
6.如權(quán)利要求5所述的放射線檢測裝置，其中所述反射率等于或大于50％。
7.如權(quán)利要求1所述的放射線檢測裝置，其中所述放射線包括X-射線。
8.一種放射線檢測片，其特征在于，包括：
閃爍體層，被布置在基板上；
反射層，被布置在閃爍體層上，其中放射線從反射層側(cè)進入；以及
光傳感器層，所述光傳感器層包括被配置為檢測從閃爍體層透過的光的多個光傳感器，其中所述光傳感器層被布置在閃爍體層的與布置有反射層的閃爍體層的表面相反的相反表面?zhèn)?，從而檢測放射線；以及
其中以下條件被滿足：
0.375≤(100-x)/(100-y(％))＜3.75，
其中從反射層側(cè)起的閃爍體層厚度的25％的區(qū)域中的平均轉(zhuǎn)換效率被設(shè)定為100作為基準，x是從光傳感器層側(cè)起的閃爍體層厚度的25％的區(qū)域中的平均轉(zhuǎn)換效率，并且y(％)是反射層的反射率。
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