[發明專利]非導電基材的導體線路的制造方法

在審

• 申請號: 201510893886.1
• 申請日: 2015-12-08
• 公開（公告）號: CN105451456A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 許建彬;陳譽尉;蘇承鋐;林國祥
• 申請（專利權）人: 昆山聯滔電子有限公司
• 主分類號: H05K3/18
• 分類號: H05K3/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種非導電基材的導體線路的制造方法。

背景技術

目前移動設備的天線使用MID(MoldedInterconnectDevices)技術制備天線，仍然以LDS制程（LaserDirectStructuring，簡稱LDS）為市場主流，在之后的發展上，各廠商推出的新技術須增加制程工站來達成在非導電基材上制備天線，如ETS制程（EtchingforThree-dimensionalStructures，三維蝕刻技術）、LAP制程（laserActivatingPlating，鐳射化學活化金屬鍍）等，但也因此降低產品良率和增加生產成本。

ETS制程一般包含如下步驟，第1步：提供非導電基材；第2步：在非導電基材上噴涂樹脂油墨；第3步：利用鐳射雕刻天線圖案，燒除圖案位置的樹脂油墨，裸露的基材形成粗糙表面；第4步：使用濺鍍沉積銅層或鎳/銅金屬作非導電基材金屬化；第5步：使用濕式法剝除基材上剩余的樹脂油墨，去除沉積于樹脂油墨上的金屬層；最后，使用化學鍍或電鍍增厚金屬層。

請參閱中國發明專利公開第CN104975276號所揭露的LAP制程，其一般包含如下步驟：第1步，提供非導電基材；第2步，在基材表面進行線路鐳雕，實現鐳雕表面粗化；第3步，清洗鐳雕非導電基材，第4步，再置入化學溶液中進行化學粗化，化學溶液優選高錳酸鉀，第5步，清潔及還原非導電基材，還原是利用雙氧水將殘留在非導電基材表面的高錳酸鉀由深紫色還原為無色；第6步，非導電基材置入第一活化劑進行第一次活化，第7步，非導電基材置入第二活化劑中進行第二次活化，第一活化劑和第二活化劑是采用兩種不同的活化溶液；第8步，非導電基材置入化學鍍液進行金屬沉積，形成導體線路；最后，使用化學鍍或電鍍增厚金屬層。

ETS與LAP制程的步驟多，流程長，耗時多，生產效率低，生產成本高。

發明內容

本發明的目的在于提供了一種步驟少、流程短的非導電基材的導體線路的制造方法。

為實現前述目的，本發明采用如下技術方案：一種非導電基材的導體線路的制造方法，其包含如下步驟：第1步，提供一非導電基材；第2步，利用鐳射雕刻非導電基材表面，非導電基材表面形成有無數的微孔隙；第3步，非導電基材浸泡金屬觸媒活化液中進行活化，使金屬觸媒鑲入吸附在微孔隙中，未被鐳雕的非導電基材表面未被活化；以及最后，在吸附有金屬觸媒的非導電基材表面，利用化學鍍或電鍍沉積金屬層，該金屬層作為導體線路。

本發明非導電基材的導體線路的制造方法的步驟少，流程短，耗時少，生產效率高，降低了生產成本。

附圖說明

圖1為本發明非導電基材的導體線路的制造方法的流程示意圖。

具體實施方式

請參閱圖1所示，本發明非導電基材的導體線路的制造方法，包含如下步驟：

第1步，提供一非導電基材10，材質采用業界常規材料，包括但不限于PC、PC、ABS或尼龍等。

第2步，利用鐳射雕刻（鐳雕）非導電基材10表面，在非導電基材100表面形成有無數的微孔隙，鐳射不受制于特定或單一波長，選擇353nm~1064nm之間。

第3步，非導電基材10浸泡金屬觸媒活化液中進行活化，使金屬觸媒20鑲入吸附在微孔隙中，未被鐳雕的非導電基材10表面未被活化，金屬觸媒20的選擇為鈀、金、銀、銅、鎳或錫等金屬。本發明優先采用納米鈀觸媒，奈米鈀觸媒的粒徑分布在100nm~1000nm之間。

最后，在吸附有金屬觸媒20的非導電基材10表面，利用化學鍍或電鍍沉積金屬層30，該金屬層30作為導體線路。

業界常用的觸媒為錫鈀膠體，浸泡后需再速化去錫步驟，本發明化鍍前處理為浸泡奈米鈀觸媒，浸泡后可直接化鍍，無需速化去錫。

本發明非導電基材的導體線路的制造方法的步驟少，流程短，耗時少，生產效率高，降低了生產成本。

盡管為示例目的，已經公開了本發明的優選實施方式，但是本領域的普通技術人員將意識到，在不脫離由所附的權利要求書公開的本發明的范圍和精神的情況下，各種改進、增加以及取代是可能的。