[發(fā)明專利]一種帶有標(biāo)記功能的激光器芯片的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510880494.1
• 申請(qǐng)日: 2015-12-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105390935A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高海根;馮定;管鋒;吳文秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S5/24
• 分類號(hào): H01S5/24
• 代理公司: 荊州市亞德專利事務(wù)所 42216
• 代理人: 周宗揚(yáng)

1.一種帶有標(biāo)記功能的激光器芯片的制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：

1）、首先將外延片吸附在旋涂機(jī)上，滴上正性光刻膠，開(kāi)啟旋涂機(jī)，轉(zhuǎn)速為4000r/min，以使正性光刻膠在外延片表面形成厚度為1.2μm的均勻分布的光刻膠薄層；

2）、將勻膠后的外延片取出，在100^oC的溫度下烘烤1min；

3）、將烘烤完畢后的外延片在光刻機(jī)上曝光30s，光刻后的曝光區(qū)域?qū)挒?00μm；

4）、曝光完畢后，將外延片用鑷子放置在盛有顯影液的溶液中靜置25s，然后在去離子水中進(jìn)行清洗，并吹干；

5）、將顯影后的外延片在100^oC下烘烤6min，然后，用氧離子轟擊顯影后的外延片表面，確保將表面曝光區(qū)殘留的膠清除干凈；

6）、將檸檬酸與去離子水按照質(zhì)量比為1:1配制24小時(shí)后，再按照體積比5：1的份量加入雙氧水，配置完成后用干凈的玻璃棒攪勻并靜置15min，然后將外延片放置其中腐蝕105s；即告完成外延片的第一次光刻；

7）、將完成第一次光刻的外延片在丙酮中連續(xù)兩次煮沸清洗并用去離子水沖洗30次，吹干；然后滴上SiO_2，開(kāi)啟旋涂機(jī)，轉(zhuǎn)速為4000r/min，以使SiO₂在外延片表面形成200nm厚的涂層，再采用步驟2）—7）的方法對(duì)外延片進(jìn)行二次光刻；二次光刻后的外延片上呈現(xiàn)上端起始曝光區(qū)域?qū)挒?μm，從上往下曝光區(qū)域?qū)捴鸫卧黾?00nm，左端曝光區(qū)域?qū)挒?μm，從左至右的曝光區(qū)域?qū)捴鸫卧黾?00nm的曝光區(qū)間；

8）、將二次光刻后的外延片用HF:NH₄F:H₂O的體積比為3:6:10的混合溶液進(jìn)行腐蝕直至SiO₂完全腐蝕掉；

9）、將檸檬酸與去離子水按照質(zhì)量比為1:1配制24小時(shí)后，再按照體積比5：1的份量加入雙氧水，配置完成后用干凈的玻璃棒攪勻并靜置15min；并將吹干后的外延片放置在上述配制的混合溶液中進(jìn)行腐蝕，時(shí)間為125s；

10）、將上述處理后的外延片采用與第一次光刻和第二次光刻相同的方式，進(jìn)行曝光區(qū)域?qū)挒?5μm的三次光刻；然后將光刻后的外延片放置在HF:NH₄F:H₂O的體積比呈3:6:10的混合溶液中進(jìn)行腐蝕直至SiO₂完全腐蝕掉；

11）、用磁控濺射制備正面電極Au/Pt/Ni，Au層厚度為50nm，Pt層厚度為50nm，Ni層厚度為300nm，正面電極所在的面即為刻有脊形臺(tái)的面；然后將外延片背面即n面，用石蠟壓在厚玻璃片上并在拋光機(jī)上減薄至120μm左右，接著先用廢三氯乙烯把外延片從厚玻璃片上煮下來(lái)，然后再用四氯化碳，三氯乙烯，丙酮，乙醇將外延片煮沸清洗兩遍，再用去離子水沖洗30遍，吹干；最后濺射背面電極AuGeNi/Au，并在420℃條件下快速退火35s，得帶有標(biāo)記功能的激光器芯片。