[發明專利]一種低損耗高充放電性能薄膜電容器在審
| 申請號: | 201510879449.4 | 申請日: | 2015-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN106847508A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發明(設計)人: | 謝志懋;王占東 | 申請(專利權)人: | 佛山市欣源電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/008 | 分類號: | H01G4/008;H01G4/33 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 損耗 放電 性能 薄膜 電容器 | ||
技術領域
本發明涉及一種電子元件的改進技術,尤其涉及電容器的改進技術。
背景技術
傳統的金屬化薄膜工藝方案有兩種,一種是:采用鋅鋁兩種金屬元素做基質,通過蒸發方式蒸鍍到薄膜表面,這種很薄的金屬層作為電容器的電極,由于噴金層與芯子端面接觸不牢靠,常常造成電釋開路或容量大幅度下降,直接影響電容器的可靠性是它的致命缺陷,如果金屬膜鍍層全部使用鋅元素時,鍍層與外界接觸面積大,易氧化變質,從而電容器在制程中需要做氧化的特別管控、,增加了成本,且存在質量隱患。
另一種是:金屬化薄膜采用純鋁金屬元素做基質,包封、分選工序制成電容器,不足之處是充放電性能差,不適合用于充放電電流大或充放頻繁的場合,并且噴金時要選用錫鋅線做為噴金材料,成本較高。
發明內容
本發明公開了一種低損耗高充放電性能薄膜電容器,降低成品的損耗、提高充放電的能力,并降低噴金成本。
為了解決上述問題,本發明一種低損耗高充放電性能薄膜電容器,包括有基膜1,所述基膜1上面從上下依次鍍有鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13,鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13分別都設有活動區21和加厚區22,加厚區22位于活動區21的前端,加厚區22的長度少不于活動區21的長度。
所述的鋅鋁合金鍍層13由以下材料配比組成:
鋅25~45份、鋁30~56份、松香2~8份、錫2~5份、石墨1~8份。
一部分是活動區,采用鋅鋁合金鍍層13是先在基膜上鍍鋁,然后再在其上鍍鋅、在蒸鍍過程中部分鋁原子通過擴散運動滲析到鋅層表面、加之鋅、鋁兩蒸發源之間沒有間隔 ,鋁蒸發源中的鋁原子可直接蒸鍍到鋅層表面,層與層之間并沒有嚴格的界限,大多為混合物,這種特殊的結構充分融匯了鍍鋁金屬化薄膜與鍍鋅金屬化薄膜各自的優點。先鍍鋅鋁合金鍍層13保證各層之間與基膜有良好的附著力,鋅鍍層12是為保持鋅層良好的電特性參數,至于表面的鋁鍍層11是起保護作用,以降低損耗。
加厚區采用鋅鋁合金鍍層13,從數學角度來看,加厚區寬度相較厚度的尺寸要大得多,以提高充放電能力、并降低噴金成本,由于加厚部分與活動區為一個整體,降低成品的損耗、提高充放電的能力,并降低噴金成本。
附圖說明
圖1是本發明的示意圖。
圖1中符號說明:基膜1、鋁鍍層11、鋅鍍層12、鋅鋁合金鍍層13、活動區21、加厚區22。
具體實施方式
如圖1所示本發明一種低損耗高充放電性能薄膜電容器,包括有基膜1,所述基膜1上面從上到下依次鍍有鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13,鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13分別都設有活動區21和加厚區22,加厚區22位于活動區21的前端,加厚區22的長度少不于活動區21的長度。
所述的鋅鋁合金鍍層13由以下材料配比組成:
鋅42份、鋁48份、松香3份、錫4份、石墨3份。
一部分是活動區,采用鋅鋁合金鍍層13是先在基膜上鍍鋁,然后再在其上鍍鋅、在蒸鍍過程中部分鋁原子通過擴散運動滲析到鋅層表面、加之鋅、鋁兩蒸發源之間沒有間隔 ,鋁蒸發源中的鋁原子可直接蒸鍍到鋅層表面,層與層之間并沒有嚴格的界限,大多為混合物,這種特殊的結構充分融匯了鍍鋁金屬化薄膜與鍍鋅金屬化薄膜各自的優點。先鍍鋅鋁合金鍍層13保證各層之間與基膜有良好的附著力,鋅鍍層12是為保持鋅層良好的電特性參數,至于表面的鋁鍍層11是起保護作用,以降低損耗。
加厚區采用鋅鋁合金鍍層13,從數學角度來看,加厚區寬度相較厚度的尺寸要大得多,以提高充放電能力、并降低噴金成本,由于加厚部分與活動區為一個整體,降低成品的損耗、提高充放電的能力,并降低噴金成本。
最后應說明的是:顯然,上述實施例僅僅是為清楚地說明本發明所作的舉例,而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說,在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發明的保護范圍之中。
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