[發明專利]一種高頻加熱電力設備

在審

• 申請號: 201510879352.3
• 申請日: 2015-12-05
• 公開（公告）號: CN105338675A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 林光琴
• 申請（專利權）人: 林光琴
• 主分類號: H05B6/06
• 分類號: H05B6/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高頻加熱電力設備，包括：振蕩器，其輸出預定頻帶內的振蕩頻率的信號；所述振蕩器的輸出被半導體功率放大器放大后由輻射器向被加熱物輻射加熱用電磁波；反射波監控器，檢測所述加熱用電磁波的反射波；存儲器，其通過預掃描存儲在容許頻率內間隔特定步長的振蕩頻率的反射功率比；控制器，其能夠根據輸入指令變更振蕩頻率；其特征在于：所述控制器在收到降低加熱幅度的指令時，根據降低加熱幅度后的所需半導體功率放大器的輸出功率計算出期待反射功率比ft，從存儲器中選擇小于該期待反射功率比ft的第一反射功率比f1，以及大于該期待反射功率比ft的第二反射功率比f2，根據該第一反射功率比f1以及對應的振蕩頻率P1（f1，P1）以及第二反射功率比f2以及對應的振蕩頻率P2（f2，P2）確定變更后的振蕩頻率Pt＝P1＋(ft－f1)×(P1－P2)/(f1-f2)。

2.根據權利要求1所述的高頻加熱電力設備，其特征在于：所述第一反射功率比f1為小于期待反射功率比ft中數據中最大的反射功率比，所述第二反射功率比f2為大于期待反射功率比ft中最小的反射功率比。

3.根據權利要求2所述的高頻加熱設備，其特征在于：所述期待反射功率比ft由下式計算：ft=1-W1×（1－f）/W，其中W為半導體功率放大器的當前輸出功率，f為當前振蕩頻率的反射功率比，W1為降低加熱幅度后的所需半導體功率放大器的輸出功率。

4.根據權利要求3所述的高頻加熱電力設備，其特征在于：如果在容許頻率內所有的反射功率比都小于期待反射功率比ft，則在降低半導體功率放大器的輸出功率后，得出新的期待反射功率比，根據該新的期待反射功率比確定變更后的振蕩頻率。

5.一種權利要求4所述的電力控制方法，包括如下步驟：1）在加熱前，所述控制器在容許頻率內控制所述振蕩器以特定步長進行變頻掃描，通過反射波監控器檢測的反射波計算出各個振蕩頻率的反射功率比，將其存儲在存儲器中；2）以當前振蕩頻率和當前功率加熱特定時間；3）所述控制器接收到降低加熱幅度后的所需半導體功率放大器的輸出功率W1；4）根據降低加熱幅度后的所需半導體功率放大器的輸出功率計算出期待反射功率比ft，ft=1-W1×（1－f）/W，其中W為半導體功率放大器的當前輸出功率，f為當前振蕩頻率的反射功率比，W1為降低加熱幅度后的所需半導體功率放大器的輸出功率；5）從存儲器中選擇小于該期待反射功率比ft的第一反射功率比f1，以及大于該期待反射功率比ft的第二反射功率比f2；6）根據該第一反射功率比f1以及對應的振蕩頻率P1（f1，P1）以及第二反射功率比f2以及對應的振蕩頻率P2（f2，P2），進行線性插值，從而確定變更后的振蕩頻率P。