[發(fā)明專利]一種提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510876348.1 | 申請日： | 2015-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN105656444A | 公開（公告）日： | 2016-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 盧微鴿 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海斐訊數(shù)據(jù)通信技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03G3/30 | 分類號： | H03G3/30 |
| 代理公司： | 上海碩力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201616 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 視頻 圖形 陣列 面積 利用率 裝置 | ||
1.一種提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其特征在于，所述 裝置的電路至少包括四級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元，其中，
第一級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的控制端和第一輸入電壓連 接，輸入端和電源電壓連接，用于作為負(fù)載電阻；
第二級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的控制端連接一差分電壓，輸 入端和所述第一級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的輸出端連接，用于輸 出差分信號；
第三級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的控制端和控制電壓連接，輸 入端和所述第二級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的輸出端連接，用于輸 出控制信號；
第四級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的控制端和第二輸入電壓連 接，輸入端和所述第三級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的輸出端連接， 輸出端接地。
2.如權(quán)利要求1所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，所述第一級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元包括第一N型金屬 -氧化物-半導(dǎo)體子單元和第二N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元；
所述第一N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元和第二N型金屬-氧化物- 半導(dǎo)體子單元的漏極均和電源電壓連接，柵極均和第一輸入電壓連接。
3.如權(quán)利要求2所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，所述第一N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元和第二N型金屬- 氧化物-半導(dǎo)體子單元導(dǎo)通后的導(dǎo)通電阻作為負(fù)載電阻。
4.如權(quán)利要求3所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，所述第二級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元包括第三N型金屬 -氧化物-半導(dǎo)體子單元和第四N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元；
所述第三N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元的漏極和第一N型金屬- 氧化物-半導(dǎo)體子單元的源極連接，第四N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元 的漏極和第二N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元的源極連接，所述第三N 型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元和所述第四N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單 元的柵極連接所述差分。
5.如權(quán)利要求4所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，所述第三N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元接收第一N型金屬 -氧化物-半導(dǎo)體子單元的傳輸信號，第四N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單 元接收第二N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元的的傳輸信號；
第三N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元和第四N型金屬-氧化物-半導(dǎo) 體子單元對輸入的傳輸信號進(jìn)行差分傳輸形成差分信號。
6.如權(quán)利要求5所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，所述第三級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元包括第五N型金屬 -氧化物-半導(dǎo)體子單元和第六N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元；
所述第五N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元的漏極和第三N型金屬- 氧化物-半導(dǎo)體子單元的源極連接，柵極和控制電壓連接；第六N型金 屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元的漏極和第四N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元 連接，柵極和控制電壓連接。
7.如權(quán)利要求6所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，所述第五N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元和第六N型金屬- 氧化物-半導(dǎo)體子單元接收第三級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元和第四 級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元傳輸?shù)牟罘中盘枺Σ罘中盘栠M(jìn)行電 壓控制。
8.如權(quán)利要求7所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，所述第四級N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元，包括第七N型金 屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元；
所述第七N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元的漏極分別和第五N型金 屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元和第六N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體子單元的源極 連接，柵極和第二輸入電壓連接，源極接地。
9.如權(quán)利要求8所述的提高視頻圖形陣列面積利用率的裝置，其 特征在于，通過改變第二輸入電壓調(diào)節(jié)所述第七N型金屬-氧化物-半導(dǎo) 體單元提供的工作電流。
10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的提高視頻圖形陣列面積利用 率的裝置，其特征在于，所述裝置的電路中還包括：隔離所述四級N型 金屬-氧化物-半導(dǎo)體單元的隔離環(huán)。
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