[發(fā)明專利]X射線組件及涂層

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510876154.1
• 申請(qǐng)日: 2015-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN105679629B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·O·格瑞恩蘭德;R·S·米勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 萬睿視影像有限公司
• 主分類號(hào): H01J35/08
• 分類號(hào): H01J35/08;H01J35/24
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 張維;潘聰

所公開的主題包括涉及陽極組件和/或X射線組件的設(shè)備和方法。在一些方面，形成X射線組件的方法可以包括提供由第一材料形成并且包括第一端的陽極基座。該方法可以包括在陽極基座的第一表面上方沉積不同于第一材料的第二材料以形成陽極基座的涂覆部分。該涂覆部分可以被配置成使得一些后向散射的電子沒有行進(jìn)越過涂覆部分。

背景技術(shù)

本公開內(nèi)容總體上涉及生成X射線的組件以及形成X射線組件的方法。X射線組件可以用于分析樣本、X射線成像、滅菌以及其它應(yīng)用。X射線組件通常可以包括將電子流定向到真空中的陰極、以及接收電子的陽極。當(dāng)電子與陽極上的靶標(biāo)碰撞時(shí)，其中一些能量可以作為X射線被發(fā)射，而其中一些能量可以作為熱量被釋放。所發(fā)射的X射線可以在樣本處被定向以確定關(guān)于樣本的信息。

要求保護(hù)的主題不限于解決任何缺點(diǎn)的實(shí)施例或者僅在諸如以上所描述的環(huán)境中操作的實(shí)施例。提供這一背景技術(shù)僅用于說明能夠在其中實(shí)踐所描述的實(shí)施例中的一些實(shí)施例的一個(gè)示例性技術(shù)領(lǐng)域。

發(fā)明內(nèi)容

本公開內(nèi)容總體上涉及X射線組件以及形成X射線組件的方法。

在一個(gè)示例實(shí)施例中，一種陽極組件可以包括陽極基座、靶標(biāo)和沉積材料。陽極基座可以由第一材料形成并且可以包括在具有第一橫截面尺寸的第一部分與具有大于第一橫截面尺寸的第二橫截面尺寸的第二部分之間的錐形部。靶標(biāo)可以定義被定位在陽極基座的第一端上在第一部分處的X射線發(fā)射面。靶標(biāo)可以包括不同于第一材料的第二材料。沉積材料可以被定位在陽極基座的涂覆部分上方。沉積材料可以包括第二材料，并且涂覆部分可以從第一端延伸涂覆長度。

在一些方面，一種形成X射線組件的方法可以包括提供由第一材料形成并且包括第一端的陽極基座。該方法可以包括在陽極基座的第一表面上方沉積不同于第一材料的第二材料以形成陽極基座的涂覆部分。涂覆部分可以被配置成使得一些后向散射的電子沒有行進(jìn)越過涂覆部分。

本發(fā)明內(nèi)容介紹簡(jiǎn)化形式的概念的選擇，這些概念在下面在“具體實(shí)施例”中進(jìn)一步描述。本發(fā)明內(nèi)容沒有指示關(guān)鍵特征、基本特性或者要求保護(hù)的主題的范圍。

附圖說明

圖1是X射線組件的實(shí)施例的視圖；

圖2A是圖1的X射線組件的部分的視圖；

圖2B是圖1的X射線組件的部分的視圖；

圖3是圖1的X射線組件的部分的視圖；

圖4是X射線組件的部分的視圖；以及

圖5A-圖5C是各種X射線組件的部分的橫截面視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖，在附圖中，相似的結(jié)構(gòu)將用相似的附圖標(biāo)記來提供。附圖是示例實(shí)施例的非限制性的、圖解的和示意性的表示，并且并不一定按比例繪制。

附圖描繪示例實(shí)施例的各種方面，通常涉及具有被容納在真空封殼內(nèi)的陰極組件和陽極組件的X射線組件。X射線組件可以生成X射線，X射線在樣本處被定向以獲取關(guān)于樣本的信息。

圖1圖示用于X射線熒光儀器的X射線組件30的示例。圖2A圖示圖1的X射線組件30的部分的更詳細(xì)的視圖。聯(lián)合參考圖1和圖2A，將進(jìn)一步詳細(xì)地描述X射線組件30。X射線組件30可以是X射線源和/或X射線管。X射線組件30包括在第一端與第二端之間延伸的本體。X射線發(fā)射窗口32可以定位在X射線組件30的第一端處。陰極組件36和陽極組件38可以容納在X射線組件30的真空封殼內(nèi)。陽極組件38可以包括被定位在X射線發(fā)射窗口32附近并且與X射線發(fā)射窗口32間隔開的靶標(biāo)82(在圖2A中指示，在圖1中為了清楚而省去了標(biāo)記)。