[發明專利]鰭式場效應晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 201510875811.0
• 申請日: 2015-12-02
• 公開（公告）號: CN106816414B
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/324
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種鰭式場效應晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有多個間隔排布的鰭，所述多個間隔排布的鰭中每個鰭的頂部構成鰭的第一部，靠近基底的部分構成鰭的第二部；

在所述基底表面、以及所述鰭的第二部的側壁表面形成摻雜層，所述摻雜層內具有摻雜離子；

進行第一退火，使所述摻雜層內的摻雜離子擴散入所述鰭的第二部內；

在所述基底內形成深摻雜阱。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在進行第一退火之前，包括形成介質層，所述介質層覆蓋所述摻雜層以及所述鰭的第一部的表面，所述介質層的高度高于所述鰭的第一部的頂部表面。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述介質層之后，進行第一退火之前，還包括：對所述介質層進行平坦化處理。

4.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述基底內形成深摻雜阱包括：

向覆蓋有介質層的基底內注入深摻雜阱離子；

對深摻雜阱離子進行第二退火。

5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第二退火的退火溫度范圍為1000℃至1050℃，退火時間為10秒至20秒。

6.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為可流動材料，包括含Si-H鍵、Si-N鍵以及Si-O鍵中的一種或多種聚合物的聚合體；形成所述介質層的方法包括采用流體化學氣相沉積工藝；形成所述介質層的工藝溫度為60℃至70℃。

7.如權利要求3或6所述的形成方法，其特征在于，形成所述介質層之后，對所述介質層進行平坦化處理之前，還包括：第三退火使所述介質層固化。

8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第三退火的退火溫度范圍為300℃至600℃，退火時間范圍為20分鐘至40分鐘。

9.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，進行第一退火之后，形成深摻雜阱之前，還包括第四退火，使所述介質層致密化及釋放其壓力。

10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第四退火的退火溫度范圍為800℃至950℃，退火時間范圍為20分鐘至40分鐘。

11.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述深摻雜阱之后，還包括去除所述介質層的一部分，使所述介質層的高度低于所述鰭的第一部的頂部表面。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述多個間隔排布的鰭包括：

提供襯底；

刻蝕所述襯底，形成鰭的第一部；

在所述鰭的第一部的側壁表面形成側墻；

以所述鰭的第一部及其側墻為掩模，繼續刻蝕所述襯底，形成鰭的第二部，剩余的襯底形成基底。

13.如權利要求12所述的形成方法，其特征在于，在刻蝕所述襯底之前，還包括在所述襯底表面形成圖形化的掩模層，以所述圖形化的掩模層為掩模刻蝕所述襯底，形成鰭的第一部及位于鰭的第一部的頂部表面的掩模層。

14.如權利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述掩模層的材料為氮化硅。

15.如權利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述側墻的材料為氮化硅；所述側墻的厚度為至