[發明專利]麥克風芯片的制造方法

有效

• 申請號: 201510875602.6
• 申請日: 2015-12-03
• 公開（公告）號: CN105392093B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 吳宛玲;呂麗英;陳秋玉;鐘曉輝;林義雄;黎家健
• 申請（專利權）人: 瑞聲聲學科技(深圳)有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種麥克風芯片的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

S1：提供一第一襯底，所述第一襯底包括第一表面和與所述第一表面相對設置的第二表面，在所述第一表面和第二表面上分別沉積絕緣氧化層；

S2：在第一表面和第二表面的絕緣氧化層上分別沉積器件層；

S3：在第一表面和第二表面的器件層的表面上分別沉積四乙氧基硅烷基氧化物層；

S4：刻蝕第一襯底的第一表面上的四乙氧基硅烷基氧化物層以暴露器件層，同時將第二表面上的四乙氧基硅烷基氧化物層全部移除；

S5：使用光刻技術對第一表面的絕緣氧化層、器件層以及四乙氧基硅烷基氧化物層進行圖案化；

S6：提供第二襯底，該第二襯底包括具有第三表面和與第三表面相對的第四表面的基底、依次沉積于所述第三表面上的氧化物層和單晶硅層；

S7：在所述第四表面和第三表面的單晶硅層表面上分別沉積氧化物層；

S8：對所述單晶硅表面上的氧化物層進行刻蝕，然后，使用光刻技術對該氧化物層進行圖案化以形成防附連凸起；

S9：在單晶硅層上刻蝕多個聲學孔以釋放背板；

S10：通過第一襯底的第一表面的四乙氧基硅烷基氧化物層與第二襯底的單晶硅層表面的氧化物層的接觸實現了第一襯底與第二襯底的結合；四乙氧基硅烷基氧化物層與單晶硅層表面的氧化物層通過室溫熔接技術實現結合；對第一襯底進行打磨并去除第一襯底的第二表面上的器件層和絕緣氧化物層；

S11：對第二襯底中基底和第四表面上的氧化物層進行刻蝕以形成背腔；

S12：從第一襯底的第二表面一直刻蝕至器件層，從而釋放振膜，進而得到麥克風芯片。

2.根據權利要求1所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，在步驟S3與S4之間，還包括對所述第一襯底的第一表面進行鈍化表面處理。

3.根據權利要求2所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，在步驟S10之前，將第一襯底的第一表面和第二襯底的第三表面進行鈍化表面處理，然后清洗所述第一表面和第三表面。

4.根據權利要求3所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，在步驟S10與步驟S11之間，將結合后的第一襯底和第二襯底進行低溫退火處理。

5.根據權利要求4所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，所述低溫退火的溫度在700℃～900℃。

6.根據權利要求1所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，所述絕緣氧化物層為氧化硅層。

7.根據權利要求1所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，所述器件層為多晶硅層。

8.根據權利要求1所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，步驟S12后，還包括分別在第一襯底和第二襯底上沉積導電層以形成導電焊盤。

9.根據權利要求1所述的麥克風芯片的制造方法，其特征在于，在步驟S10中，所述室溫熔接過程中，室溫的溫度范圍為22±3℃。