[發(fā)明專利]釹鐵硼磁體在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510870246.9 | 申請(qǐng)日： | 2015-12-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105405562A | 公開（公告）日： | 2016-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 史磊;孫斌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中磁科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01F1/057 | 分類號(hào)： | H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279 | 代理人： | 陳變花;田昕 |
| 地址： | 044200 山西省運(yùn)*** | 國(guó)省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 釹鐵硼 磁體 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種釹鐵硼磁體，其特征在于，所述釹鐵硼磁體包括：
釹鐵硼基體，以及
合金鍍層，其電鍍?cè)谒鲡S鐵硼基體的表面，所述合金鍍層從內(nèi)至外包括：
第一鍍層，其為Ni-Cu-Ni層；以及
第二鍍層，其為Sn層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述第一鍍層的厚度為8～15μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述第二鍍層的厚度為2～5μm。
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